+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Спонтанные и индуцированные оптические явления в кристаллах диэлектриков при структурных фазовых переходах

Спонтанные и индуцированные оптические явления в кристаллах диэлектриков при структурных фазовых переходах
  • Автор:

    Анистратов, Анатолий Тихонович

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    1983

  • Место защиты:

    Красноярск

  • Количество страниц:

    398 c. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ СОВРЕМЕННОЙ 
КРИСТАЛЛООПТИКИ И ТЕОРИИ СТРУКТУРНЫХ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ

ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ СОВРЕМЕННОЙ

КРИСТАЛЛООПТИКИ И ТЕОРИИ СТРУКТУРНЫХ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ

§ I. Основные аспекты феноменологической теории оптических свойств кристаллов

§ 2. Описание оптических свойств кристаллов с

позиций теории эффективных осцилляторов

§ 3. Феноменологическая теория структурных фазовых


переходов

§ 4. Основы термодинамики разовых переходов в

сегнетоэлектриках


Выводы
ГЛАВА 2. СПОНТАННЫЕ И ИНДУЦИРОВАННЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДАХ В СОБСТВЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
§ I. Оптические свойства кристаллов АЬС-Х^-пц^О
в видимой части спектра
§ 2. Электрооптические свойства НАСеЗ)
§ 3. Нелинейные оптические свойства НА Се!)
§ 4. Оптические исследования фазовых переходов в

§ 5. Заключительные замечания по оптическим исследованиям АВСХ4*пН20
Выводы
ГЛАВА 3. СПОНТАННЫЕ И ИНДУЦИРОВАННЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ОКРЕСТНОСТЯХ ТОЧЕК ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ НЕКЛАССИЧЕСКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
§ I. Фотоупругие и электрооптические свойства дигидроарсената цезия в окрестности сегнето-электрического перехода

§ 2. Сегнетоэлектрический переход в сульфате аммония. Диэлектрические, оптические и электрооптяческие свойства в окрестности точки Кюри
§ 3. Изменения оптических свойств при сегнетоэлектрическом переходе в метиламмонийных квасцах
§ 4. Изменения двупреломления и электрооптических свойств дикальций-стронций пропионата при сегнетоэлектрическом переходе
§ 5. Спонтанные и индуцированные оптические явления при несобственном сегнетоэлектрическом переходе в молибдате гадолиния
§ 6. Исследования оптических и некоторых других
свойств при фазовых переходах во фторобериллате аммония
Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЯ НЕСЕГНЕГГОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
СТРУКТУРНЫХ ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ В ПЕРОВСКИ-Т0П0Д0ЕНЫХ ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
§ I. Термодинамика последовательных структурных
фазовых переходов
§ 2. Двупреломление и последовательные фазовые переходы в кристаллах АВС.ЕЬ со структурой перовскита
§ 3. Комплексное исследование структурного фазового
перехода в трихлориде марганца-рубидия
§ 4. Обнаружение и исследование фазовых переходов
в кристаллах типа эльпасолита
Выводы
ГЛАВА 5 . ПОИСК И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ НОВЫХ
МОНОКРИСТАЛЛОВ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ ОПТО-ЭЛЕКТРОНИКИ
§ I. Поисковые акустооптические исследования в
семействах кристаллов типа КД)Р и АВС£3
§ 2. Электрооптические свойства кристаллов типа
АЪСез

§ 3. Кристаллохимические аспекты структурных фазовых переходов. Управление точками переходов в галоидных перовскитах
§ 4. Влияние замещения ионов на мягкие моды колебаний
в галоидных перовскитах
§ 5. Акустооптические свойства кристаллов типа
котуннита
§ 6. Электронная структура и оптические свойства
СьРЬС£ъ , и РЬСЕ2 в области
фундаментального поглощения
§ 7. Поиск новых магнитооптических материалов для
инфракрасной области спектра
Выводы

ГЛАВА 6 . КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА И СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНИЧЕСКИ ВАЖНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА СИЛЛЕНИТА
§ I. Выявление и идентификация дефектов Ь»/)гйеОго
оптическими методами
§ 2. Оптические свойства монокристаллов Ъ^&еОдо »
дотированных малыми примесями алюминия и бора 298.
§ 3. Темновое электросопротивление и фотопроводимость кристаллов 'Е>1<12ве02о , додированных алюминием и бором
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
ЛИТЕРАТУРА

изображается параболой, вершина которой С ) находится выше оси абсцисс для переходов 1-го и ниже - для переходов П-го рода (рис.З). Для оценки^коэффициентов разложения термодинамического потенциала уравнение (1.866) можно представить в более удобном виде
£г[д' +Аг(-Т<>--Т.)]=г& + 5е?2 ( (1.95)
где А = О для переходов II рода ( Тв = Те ). Той же цели служит и выражение (1.96), получаемое из (1.89) с учетом (1.87) :
(’г1- | О* = [(1/* + Ат(зе.Г (т-т) (1.9«
для переходов I рода. Величина (2/з) - ордината вершины параболы в Т*р , так что левая часть (1.96) обращается в нуль для Т*р> т„ (рис.З). Значение ТКр >Т >Т можно найти путем экстраполяции прямых, соответствующих выражениям (1.94) и (1,96), к нулю.
Таким образом, по данным а Ср(т) и £?Ст) можно определить ( ТКр -), начальные значения в То и наклоны
прямых. Нетрудно показать, что
Х-Т=5(Т^-Т) =Бг(4АтС)'й' • (1.97)
Эта величина определяет безразмерный параметр 1/ . , характеризующий близость данного перехода к трикритической точке :
М = ± [<Хр-т;)/тс] ^ . (1-98)

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.506, запросов: 967