Новые методы создания прецизионных InGaAs/GaAs нанотрубок и спиралей

• Автор: Чеховский, Александр Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 187 с. : ил.

Список сокращений

АСМ - атомно-силовой микроскоп

ВРПЭМ - высокоразрешающий просвечивающий электронный микроскоп

ГФЭ - газофазная эпитаксия

МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия

СТМ - сканирующий туннельный микроскоп

СЭМ - сканирующий электронный микроскоп

УФ - ультрафиолетовое излучение

а - параметр кристаллической решетки

с - концентрация жидкости

Е> - коэффициент самодиффузии жидкостей

А - диаметр трубки
Е - модуль упругости Юнга
к - постоянная Планка
к - коэффициент Больцмана
7? - универсальная газовая постоянная
Т - температура
X - толщина пленки
у— коэффициент поверхностного натяжения жидкости X - длина поверхностной диффузии адатома "П - коэффициент вязкости в - угол смачивания
ОГ ДАВЛЕНИЕ
Глава 1. Современные методы создания наноструктур
1.1. Литография
1.2. Самосборка
1.3. Выводы по главе
Глава 2. Метод получения 1пОаАз/ОаАз трубок заданной длины
2.1. Селективная эпитаксия (краткий обзор литературы)
2.2. ГпСаАз/СаАэ трубки заданной длины
2.3. Монокристалличность стенок нанотрубок
2.4. Выводы по главе
Глава 3. Получение наноструктур с использованием сверхкритических сред
3.1. Сушка микро- и наноструктур (краткий обзор литературы)
3.1.1. Разрушение микро- и нанообъектов при сушке испарением
3.1.2. Методы профилактики разрушения при сушке
3.2. Сушка 1пСаАз/ОаАз микро-и наноструктур испарением
3.3. Сверхкритические среды (краткий обзор литературы)
3.3.1. Общие свойства сверхкритических сред
3.3.2. Использование сверхкритических сред в микро- и нанотехнологии
3.4. Сверхкритическая С02 сушка ЫСаАз/СаАя микро- и наноструктур
3.4.1. Промывание образца в ацетоне
3.4.2. Перенос образца в камеру установки и заполнение охлаждаемой камеры жидкой углекислотой
3.4.3. Замещение ацетона углекислотой и продувка камеры
3.4.3.1. Замещение ацетона жидкой углекислотой
3.4.3.2. Замещение ацетона сверхкритической углекислотой

3.4.4. Перевод жидкой углекислоты в сверхкритическое состояние
3.4.5. Изотермическое понижение давления до атмосферного
3.4.б.Остывание камеры и извлечение высушенного образца
3.5. Результаты экспериментов по сверхкритической сушке
3.6. Сушка InGaAs/GaAs объектов в сверхкритическом ацетоне
3.7. Травление жертвенного слоя в сверхкритическом травителе
3.7.1. Предпосылки
3.7.2. Эксперименты по сверхкритическому травлению
3.8. Выводы по главе
Глава 4. Использование InGaAs/Ga As нанотрубок в качестве масок
для получения структур с точным размером
4.1. InGaAs/GaAs трубка как маска
4.2. Сухое травление (обзор литературы)
4.3. Эксперименты
4.4. Выводы по главе
Основные результаты и выводы по диссертации
Заключение
Библиографический список использованной литературы
(001)
Рис. 7. Схематическое изображение У-образных канавок в А1А5/ОаА5/А1Ав гетероструктуре.