Фотопроводимость фуллерита С60 и донорно-акцепторных комплексов на его основе в слабых магнитных полях

• Автор: Умрихин, Алексей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Автор искренне благодарит научного руководителя профессора Головина Ю.И., научного консультанта Лопатина Д.В., а также всех сотрудников кафедры теоретической и экспериментальной физики за оказанную помощь и теплые дружеские отношения.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Критерии разг раничения “сильных” и “слабых” магнитных полей и их воздействия на физические процессы
1.2. Влияние слабых магнитных полей на протекание спин-зависимых реакций в твердых телах
1.2.1 Механизм влияния магнитного поля па спин-зависимые
химические реакции
1.2.2. Экспериментальные данные по эффектам влияния слабого магнитного поля на электронно-оптические свойства молекулярных кристаллов
1.3 Физические свойства фуллеренов
1.3.1 Электронная структура Сбо
1.3.2 Оптические свойства фуллеренов
1.3.3 Электрические свойства фуллеренов
1.3.4 Фотопроводимость фуллеренов Сбо
1.4 Структура донорно-акцепторных комплексов на основе фуллерена Сбо
1.4.1. Структура комплекса TBPDA2C60
1.4.2. Структура донорно-акцепторного комплекса Вг^ВТРЕ'Сбо
1.4.3. Структура донорно-акцепторного комплекса {CuM(dcdtc)2}2-Сбо
1.5 Перспективы использования фуллеренов в технике, электронике, химии и
нанотехнологиях
1.6. Постановка целей и задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Методика получения образцов
2.2. Методика измерения фотопроводимости молекулярных кристаллов в МІ I
2.3. Выводы
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СЛАБОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА
ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФУЛЛЕРИТА С60
3.1 Экспериментальные данные о влиянии магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов Сбо
3.2. Влияние внешних факторов на величину изменения
фотопроводимости монокристаллов С6о в магнит ном поле
3.3. Модели влияния маг нитного поля на фотопроводимость
монокристаллов Сбо
3.4. Выводы
ГЛАВА 4. ФОТОПРОВОДИМОСТЬ МОЛЕКУЛЯРНЫХ КОМПЛЕКСОВ
НА ОСНОВЕ ФУЛЛЕРЕНОВ В МАГНИТНОМ ПОЛЕ
4.1. Влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с органическими донорам: BZ4BTPEC60 и TBPDA
4.2. Влияние слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с металлоорганическими донорами
4.2.1. Экспериментальные данные о влиянии слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов {CuI,(dedtc)2} 2- и C60{Cd"(dedtc)2}2
4.2.2. Модели влияния слабого магнитного поля на фотопроводимость донорно-акцепторных комплексов фуллеренов с металлорганическими донорами

комплексы и ион-радикальные соли с сильными органическими донорами (например тетратиа-фульвалеиами).
Значительная делокализация электронов в С«) при фотоиндуцированном переносе электрона приводят к возникновению свободных носителей заряда и высокой фотопроводимости. В ближайшем будущем это может найти применение для создания фотопреобразователей энергии и других устройств, использующих фотопроводимость. Поэтому изучение фотопереноса электрона в соединениях фуллеренов является важным направлением. Наиболее перспективными для создания материалов с высокой фотопроводимостью могут быть как композиты Сбо- проводящий полимер, так и Д-А комплексы фуллеренов с органическими донорами, в которых возможно разделение зарядов со значительным временем жизни. Также представляется перспективным использование комбинация орг анический донор-Сбо-проводятций полимер.
Даже краткий обзор практического применения См в технике, микроэлектронике, химии и медицине показывает, что дальнейшее изучение физических свойств фуллеритов может привести к новым и неожиданным сторонам использования этого нового перспективного материала.
1.6 Постановка целей и задач исследования
Приведенный анализ известных экспериментальных результатов и предложенных механизмов влияния МП на электронно-оптические свойства молекулярных кристаллов свидетельствует о том, что МП может эффективно управлять этими свойствами посредством изменения спинового состояния промежуточных электронно-дырочных пар -экистонов. С другой стороны, из литературного обзора следует, что для объяснения механизмов генерации свободных носителей заряда в монокристаллах См под действием света или проникающего излучения необходимо рассматривать как внутримолекулярные, так и межмолекулярные электронные процессы, первые приводят к образованию