Плотность незаполненных электронных состояний полупроводниковых органических пленок на основе молекул с поляризующими заместителями

• Автор: Гавриков, Антон Андреевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2015
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 122 с. : ил.

Введение

Глава 1. Электронные свойства органических полупроводниковых пленок

1.1 Электронные процессы при осаждении полупроводниковых органических покрытий на поверхность твердых тел

1.2 Плотность электронных состояний полупроводниковых органических пленок

Выводы

Глава 2. Объекты исследования и используемые экспериментальные методики

2.1 Приготовление исследуемых образцов

2.2 Методика спектроскопии полного тока (СПТ)

2.3. Методика теоретического исследования плотности электронных состояний

полупроводниковых органических пленок

Выводы к главе
Глава 3. Низкоэнергетические электронные спектры полупроводниковых органических пленок на основе фталоцианина меди и олигомеров фенилен-винилена
3.1. Низкоэнергетические электронные спектры при формировании интерфейсов фталоцианина меди на поверхности диоксида олова
3.2. Низкоэнергетические электронные спектры при формировании интерфейсов фторозамещенного фталоцианина меди на поверхности диоксида олова
3.3. Низкоэнергетические электронные спектры при формировании интерфейсов фталоцианина меди и фторозамещенного фталоцианина меди
3.4. Низкоэнергетические электронные спектры при формировании интерфейсов пленок
олигомеров фенилен-винилена с поверхностью окисленного кремния
Выводы к главе
Глава 4. Плотность незаполненных электронных состояний в полупроводниковых пленках на основе фталоцианина меди и олигомеров фенилен-винилена
4.1 Плотность незаполненных электронных состояний пленок олигомеров фенилен-винилена ОРV(1) и ее изменение при замещении молекулы нитрогруппами на примере пленок ОРУ(2).
4.2 Плотность незаполненных электронных состояний пленок фталоцианина меди СиРс и ее
изменение при фторировании молекулы на примере пленок Б^-СиРс
Выводы к главе
Заключение
Благодарности
Библиографический список использованной литературы

Введение
Органические полупроводниковые пленки представляют интерес с точки зрения микро- и наноэлектроники, что связано с широкими возможностями их применения в качестве структурных элементов химических сенсоров, ячеек преобразования солнечной энергии, полевых транзисторов, светоизлучающих ячеек и плоских дисплеев. Присутствие в органических молекулах сопряженных химических связей является причиной электропроводности и полупроводниковых свойств материалов на их основе.
При исследованиях большое внимание уделяется модификации свойств поверхности твердых тел тонкими органическими покрытиями и модификации органических материалов путем введения поляризующих заместителей в органические молекулы в составе материалов. Перенос электронного заряда в пограничной области органических материалов непосредственно влияет па характеристики устройств органической электроники. Например, резкий скачок электронного потенциала в пограничных слоях гибридных материалов значительно увеличивает интенсивность фотовольтаического эффекта. Введение электрон-прнтягивающнх заместителей, например, фторирование, в состав органических молекул приводит к понижению энергетических уровней и к другим изменениям плотности электронных состояний в органическом материале. Использование методик электронной спектроскопии в комплексе с методами теоретических расчетов на основе теории функционала плотности является на сегодняшний день наиболее информативным подходом к изучению электронных процессов в пограничных областях в органических и гибридных материалах. В связи с этим, систематическое изучение плотности электронных состояний полупроводниковых органических пленок н пограничной области, формируемой при контакте этих материалов с поверхностью твердых тел, является фундаментальной проблемой физики конденсированного состояния. До написания данной диссертационной работы в научной литературе уделялось

Excitation Energy (eV)
Рис. 1.14. NEXAFS спектры С-края поглощения бензола и нескольких его производных (структура молекул отмечена). Отмечены пики, соответствующие переходам в конечные я* состояния, их сдвиги и расщепление отмечены вертикальными линиями.
Детальный анализ изменения положения максимумов DOUS при фторировании представлен на примере серии фторбензолов [89]. При анализе было предложено различать в экспериментальных NEXAFS спектрах более десяти энергетических подзон (Рис. 1.15), при этом была определена природа