Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Шуников, Евгений Анатольевич
01.04.07
Кандидатская
2005
Воронеж
115 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
ОГ ДАВЛЕНИЕ
* ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1 Структура поверхности кристаллизации полупроводников 1Л Л Поверхностные конфигурации атомов
1Л .2 Адсорбционный слой
1Л.З Шероховатость поверхности кристаллизации
1.2 Теоретические методы исследования физических свойств
поверхности кристаллизации. Потенциалы взаимодействия
1.2.1 Метод молекулярной динамики
1.2.2 Метод Монте-Карло
1.2.3 Потенциалы парного взаимодействия
1.3 Использование метода молекулярной динамики при моделировании роста слоев из газовой и жидкой фаз
1.3.1 Моделирование поверхности
1.3.2 Прилипание, аккомодация, адсорбция, рассеяние
1.3.3 Поверхностная диффузия
1.3.4 Взаимодействие кластеров с поверхностью кристалла ВЫВОДЫ К ПЕРВОЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРОЦЕССА * МАССОПЕРЕНОСА В ДВУХФАЗНОЙ СИСТЕМЕ ЖИДКОСТЬ
КРИСТАЛЛ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ
2.1 Реализация метода молекулярной динамики на двухфазной ^ системе вида кристалл - раствор вещества кристалла
2.2 Выбор временного шага
2.3 Вычисление параметров парных потенциалов взаимодействия компонентов соединений А3В5
2.4 Оптимизация метода молекулярной динамики
2.5 Модель установления фазового равновесия в системе кристалл А3В5 - раствор элемента В5 в расплаве А3
V 2.6 Реализация метода молекулярной динамики
2.7 Обсуждение результатов моделирования
2.7.1. Исследования фазового равновесия при температуре ликвидуса
2.7.2 Исследования фазового равновесия при температурах отличных от температуры ликвидуса я» ВЫВОДЫ К ВТОРОЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ РОСТА КРИСТАЛЛА А3В5 ПРИ ТЕМПЕРАТУРАХ БЛИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРЕ ЛИКВИДУСА
3.1 Описание модели
3.2 Обсуждение результатов моделирования
3.2.1 Кинетика процессов роста слоя и растворения подложки при равенстве температур кристалла и раствора при 1
3.2.2 Кинетика процессов роста слоев СаР из пересыщенного ^ раствора-расплава
ВЫВОДЫ К ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АТОМОВ С УЧЕТОМ ТЕПЛОТЫ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА
4.1 Модель кинетики роста кристалла при переменной температуре
4.2 Обсуждение результатов моделирования
ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ
Ъ ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Рис. 2.1. Представление молекулярно - динамических ячеек
Определим теперь начальные условия рассматриваемой задачи. В начальный момент времени (1=0) молекулы размещались в узлах простой кубической ячейки, а их скорости выбирались согласно распределению Максвелла по абсолютным скоростям для заданной температуры моделирования
йп(и) - Anv2N
N3/2
2 якТ
( 2 Л
2 кТ
(2.10)
где к - постоянная Больцмана,
Т - температура моделирования,
N - полное число атомов, т - масса атома,
о - абсолютная скорость движения частицы,
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Скрытые магнитные состояния в гексагональных и тетрагональных кристаллах | Заворотнев, Юрий Демьянович | 1998 |
Расчёт температурных полей и формирование структуры и свойств поверхностных слоёв металлов и сплавов при облучении пучком релятивистских электронов | Голковский, Михаил Гедалиевич | 2006 |
Магнитные свойства 2D фрустрированных антиферромагнетиков в ВТСП купратах | Козлов, Николай Александрович | 2010 |