Влияние деформации, нарушающей симметрию исходной решетки, на условие генерации волн смещений атомов неравновесными электронами

• Автор: Скорикова, Наталья Альбертовна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 129 с. : ил.

1 Информация, существенная для постановки задачи
1.1 Основные представления о реконструктивных мартенсит-ных превращениях (на примере 7 — а превращения в сплавах на основе железа)
1.1.1 Характерные признаки 7—а мартенситного превращения
1.1.2 Морфологические признаки 7 — а мартенситного превращения
1.1.3 Кинетические признаки
1.2 Концепции гетерогенного зарождения и волнового роста кристаллов мартенсита
1.2.1 Механизм генерации и характеристики волн смещений, управляющих ростом мартенситного кристалла
1.2.2 Двухволновая схема управления ростом кристалла мартенсита [1]
1.2.3 Синтез концепций волнового роста и гетерогенного зарождения мартенсита
1.3 Поверхности, разделяющие в пространстве квазиимпульсов состояния электронов с разными знаками неравновесной добавки к равновесной функции распределения

1.4 Физическая постановка задачи исследования
2 Расчет числа пар электронных состояний, активных в генерации волн, для представительного набора интегралов перекрытия между ближайшими и вторыми соседями в металлах с кубической решеткой
2.1 Формы э - поверхностей при симметричных ориентировках направления пространственной неоднородности для ОЦК
и ГЦК кристаллов
2.2 Вид плотностей состояний для ОЦК и ГЦК решеток
2.2.1 Закон дисперсии Е{к) для стандартных направлений в к-пространстве (случай ОЦК решетки)
2.2.2 Закон дисперсии Е(к) для стандартных направлений в к-пространстве (случай ГЦК решетки)
2.2.3 Плотность электронных состояний (случай ОЦК решетки)
2.2.4 Плотность электронных состояний (случай ГЦК решетки)
2.3 Доля пар инверсно населенных состояний электронов в энергетическом интервале оптимальном для генерации волн
2.3.1 Случай ОЦК решетки
2.3.2 Случай ГЦК решетки
2.4 Влияние неоднородности направлений вектора в межфазной области на процесс генерации пары управляющих волн
2.5 Заключение к главе
3 Влияние конечных деформаций на число пар электронных состояний активных в генерации волн

3.1 Немонотонная зависимость числа пар электронных состояний, активных в генерации волн смещений атомов, от величины одноосной деформации растяжения при учете только
* ближайших соседей
3.1.1 Изменение электронного спектра и первой зоны Брил-люэна при деформации растяжения
3.1.2 Изменение доли пар электронных состояний активных в генерации волн
3.2 Немонотонная зависимость числа пар электронных состояний, активных в генерации волн смещений атомов, от величины одноосной деформации растяжения при учете первых и вторых соседей
3:2.1 Изменение электронного спектра при деформации
растяжения
3.2.2 Изменение доли пар электронных состояний активных в генерации волн
3.3 Немонотонная зависимость числа пар электронных состояний, активных в генерации волн смещений атомов, от величины одноосной деформации сжатия при учете ближайших соседей
3.3.1 Случай одноосного сжатия в направлении [001] исходной ГЦК решетки
3.4 Немонотонная зависимость числа пар электронных состояний, активных в генерации волн смещений, от величины одноосной деформации сжатия при учете первых и вторых соседей
3.4.1 Изменение электронного спектра при деформации
» сжатия

-1,2 -1,0 -0,8 -0,6 -0,4 -0,2 0,0 0,2
^ р
Рис. 2.16. Доли площадей б- поверхностей, локализованных в энергетическом интервале 0,2 эВ вблизи уровня Ферми, задающих число пар электронных состояний потенциально активных в генерации фононов в ГЦК решетке: а) - С[оо1]1 б) - С[ио] 5 в) - С[1п]; Для всех случаев имеется соответствие ■- Е2 = 0, •- Е2 > 0, А- Е2 < 0.
всех стандартных ориентировках вектора пространственной неоднородности е наблюдается резкое увеличение ( при Е2 < 0 и снижение - при Е2 > 0. Важно, что выгибание (при Е2 < 0) плоских (при Е2 — 0) листов б - поверхности к граням ЗБ сопровождается не только ростом площа-