Эволюция структуры аморфных сплавов Ni70Mo10P20 и Ni70Mo10B20 при нагреве ниже и выше температуры стеклования

• Автор: Игнатьева, Елена Юрьевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 127 с. : ил.

1. Литературный обзор
1.1. Аморфное состояние вещества
1.2. Термодинамика и кинетика кристаллизации
аморфных сплавов
1.2.1. Образование аморфных сплавов
1.2.2. Реакции кристаллизации в аморфных сплавах
1.2.3. Зарождение
1.2.3.1. Гомогенное зарождение
1.2.3.2. Гетерогенное зарождение
1.2.4. Рост кристаллов
1.2.4.1. Линейный рост
1.2.4.2. Параболический рост
1.2.5. Кинетика кристаллизации
1.2.6. Разделение фаз
1.2.7. Кинетика роста зерен
1.2.7.1. Термодинамический подход
1.2.7.2. Кинетический подход
1.3.1. Диффузия в аморфных сплавах
1.3.2. Диффузия в аморфных сплавах типа
металл - металлоид
1.4. Нанокристаллические материалы
1.4.1. Нанокристалличекие сплавы, полученные
кристаллизацией металлических стекол
1.5. Постановка задачи
2. Материалы и методы исследований
2.1. Получение
2.2. Калориметрические исследования
2.3. Рентгеноструктурные исследования
2.4. Электронная микроскопия
2.5. Локальный энергодисперсионный рентгеноспектральный анализ
2.6. Исследования непосредственно в колонне электронного микроскопа (ш-б^)
3. Эволюция сплава М7оМо1оР2о при нагреве
3.1.Характеристика исходного сплава ЫЬоМоюРго
3.2. Превращения в аморфном сплаве №7оМоюР2о при температуре
ниже температуры стеклования
3.2.1. Превращения в аморфном сплаве №70МоюР2о
до начала кристаллизации
3.2.2. Кристаллизация образцов аморфного сплава №7оМо10Р2о при температуре ниже температуры стеклования
3.3. Превращения в аморфном сплаве №7оМоюР2о при температуре выше температуры стеклования
3.3.1. Превращения в аморфном сплаве №70Мо10Р20 при температуре выше температуры
стеклования до начала кристаллизации
3.3.2. Кристаллизации сплава №70Мо1оР2о выше температуры стеклования
3.3.2.1. Определение структуры метастабильной фазы,
образующейся при кристаллизации сплава №70МоюР2о
3.4. Кинетика кристаллизации сплава №70МоюР2о
3.5. Выводы по главе
4. Эволюция сплава №7оМоюВ2о при нагреве
4.1. Характеристика исходного сплава №7оМоюВ2о
4.2. Превращения в аморфном сплаве №7оМоюВ2о при температурах
ниже температуры стеклования
4.2.1. Превращения в аморфном сплаве №7оМО|оВ2о до начала кристаллизации
4.2.2. Кристаллизация образцов аморфного сплава МЬоМоюВго
при температурах ниже температуры стеклования
4.3. Превращения в аморфном сплаве №7оМо10В2о при температурах
выше температуры стеклования
4.3.1. Превращения в аморфном сплаве №7оМоюВ2о при температуре выше температуры стеклования
до начала кристаллизации
4.3.2. Кристаллизации сплава №7оМоюВ2о выше
температуры стеклования
4.4 Выводы по главе
5. Фазовые превращения в тонких сечениях аморфных сплавов №70МоюР2о и №7оМоюВ2о при нагреве в колонне
электронного микроскопа (т-вйи)
5.1. Выводы по главе
Заключение
Список литературы

утонения и чистки поверхности. В этом случае энергия пучка не превышала 3 кВ. Чтобы исключить процессы окисления и перегрева, образцы в установках утонялись в вакууме ~104Па и при охлаждении до температуры жидкого азота.
Часть электронно-микроскопических исследований проводились методом просвечивающей электронной микроскопии на электронном микроскопе ШМ-100СХ II с ускоряющим напряжении 100 кВ. (длина волны Л = 0.037 А). В случае ПЭМ для формирования контраста используется рассеянный на образце пучок электронов. Для получения светлопольного изображения апертурной диафрагмой выделяется прямой пучок, для темнопольного - дифрагированный. Яркость светлопольного изображения определяется интенсивностью или значением квадрата амплитуды дифрагированного пучка. Для интенсивности прямого пучка, /пр, формирующего светлопольное изображение, пренебрегая эффектами поглощения электронов, можно записать [85-86]:
/пр = /о-/д, (2.3)
где /0 - интенсивность падающего на объект пучка, /д - интенсивность дифрагированного пучка (рис. 2.7а). Контраст изображения определяется распределением интенсивности электронов, отраженных по закону Брегга отразличных участков тонкого образца, или квадратом амплитуды
дифрагированного пучка, и называется амплитудным контрастом [87].
Одним из важнейших приемов при работе на электронном микроскопе при изучении кристаллических образцов является получение темнопольных изображений. Осветительную систему микроскопа смещают так, чтобы
изображение формировалось не первичным электронным пучком, а
подходящим дифрагированным. Если эта операция выполнена точно, то разрешение темнопольного изображения равно разрешению обычного светлопольного изображения. Величина и направление наклона, необходимого для получения определенного темнопольного изображения, контролируется по наблюдению электронограммы во время наклона. Темнопольное изображение показывает, какие области образца вносят свой вклад в данный
дифрагированный пучок, и таким образом эта методика позволяет установить