Экспериментальное исследование магниторезистивного эффекта в композитах на основе ВТСП

• Автор: Дубровский, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Красноярск
• Количество страниц: 110 с. : ил.

Содержание
ВВЕДЕНИЕ

I. ПРОБЛЕМАТИКА ОБЛАСТИ ИССЛЕДОВАНИЙ

1.1. Сущность проблематики предметной области

1.2. КОМПОЗИТЫ НА ОСНОВЕ ВТСП КАК «МОДЕЛЬНЫЕ ГРАНУЛЯРНЫЕ ВТСП»

1.3. Резистивные свойства гранулярных ВТСП в магнитном поле

1.4. Гистерезисные явления и релаксационные процессы в гранулярных ВТСП

1.5. Постановка задачи

Н. ПРИГОТОВЛЕНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ СВОЙСТВ ГРАНУЛЯРНЫХ ВТСП

2.1. Введение

2.2. Приготовление и состав ВТСП и композитов

2.3. Методики измерения критического тока, элетросопротивления, временной релаксации электросопротивления сверхпроводящих образцов
2.4. Измерение магнитных свойств сверхпроводящих образцов
Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ГИСТЕРЕЗИСНОГО ПОВЕДЕНИЯ ГРАНУЛЯРНЫХ ВТСП НА ПРИМЕРЕ КОМПОЗИТОВ У-Вл-Си-О + СиО
3.1. Введение
3.2. Композиты как сеть джозефсоновских переходов
3.3. Взаимосвязь гистерезиса критического тока и
МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
3.4. Модель для гранулярных ВТСП
3.5. Эффективное поле в джозефсоновской среде и гистерезис 1с(Н) и Я(Н)
3.6. Влияние транспортного тока на гистерезисные зависимости К(Н)
3.7. Магнитная предыстория и частные петли гистерезиса Ы(Н)
3.8. Выводы
IV. МЕХАНИЗМ РЕЛАКСАЦИИ ОСТАТОЧНОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛЯРНЫХ ВТСП ПОСЛЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПРИМЕРЕ КОМПОЗИТОВ У-Вд-Си-О + СиО
4.1. Введение
4.2. Экспериментальное исследование процессов релаксации остаточного электросопротивления в гранулярных композитах на ОСНОВЕ ВТСП

4.3. Влияние релаксации намагниченности сверхпроводящих гранул на
ВРЕМЕННУЮ ЭВОЛЮЦИЮ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛЯРНОГО ВТСП В
ПОСТОЯННОМ ВНЕШНЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
4.4. Выводы
V. МЕХАНИЗМ ГИСТЕРЕЗИСНОГО ПОВЕДЕНИЯ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛЯРНЫХ ВТСП. УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ ПОЛЕВОЙ ШИРИНЫ ГИСТЕРЕЗИСА МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
5.1. Введение
5.2. Сверхпроводящий переход гранулярных ВТСП во внешнем поле, как
ХАРАКТЕРИСТИКА ЕСТЕСТВЕННЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ
5.3. ГИСТЕРЕЗИСНЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ЩН) И ПОЛЕВАЯ ШИРИНА ГИСТЕРЕЗИСА МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ
5.4. РЕЛАКСАЦИЯ ОСТАТОЧНОГО ЭЛЕКТРОСОПРОТИВЛЕНИЯ С ТЕЧЕНИЕМ ВРЕМЕНИ
5.5. Исследование временной эволюции электросопро тивления и НАМАГНИЧЕННОСТИ В ПОСТОЯННОМ ПРИЛОЖЕННОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ
ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО У-Ва-Си-О
5.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение
Актуальность
В литературе известны такие явления в гранулярных
высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП), как гистерезис
магнитосопротивления и критического тока от магнитного поля и временная
релаксация сопротивления после воздействия магнитного поля. Обычно авторы
для объяснения этих явлений используют понятие «захваченный образцом поток» ввиду схожести данных явлений с широко известным гистерезисом намагниченности и релаксации намагниченности. Действительно, возможные механизмы, приводящие к этим явлениям, это - либо влияние захваченного в межгранульных границах магнитного потока (пиннингование джозефсоновских вихрей), либо влияние потока, захваченного гранулами ВТСП, на межгранульную среду, либо суперпозиция указанных механизмов. Однако до последнего времени не было предложено четких экспериментальных критериев, указывающих на доминирование того или иного механизма, приводящего к гистерезисным явлениям транспортных свойств в гранулярных ВТСП материалах. Поэтому определение данного критерия и установление механизма, ответственного за гистерезис и релаксацию магнитосопротивления в гранулярных ВТСП является актуальной физической задачей, имеющей и фундаментальное значение.
Поликристаллические ВТСП, получаемые стандартной методикой твёрдофазного синтеза, можно упрощенно рассматривать как двухуровневую систему, состоящую из двух подсистем: ВТСП гранул и межгранульных границ. Перенос сверхпроводящего тока, а также резистивное состояние гранулярного ВТСП определяются джозефсоновскими слабыми связями на межгранульных границах. Магнитные свойства в квазистатических сильных магнитных полях определяются ВТСП гранулами.
Помимо «чистых» поликристаллических ВТСП, гальваномагнитные явления можно исследовать и в композитах на основе ВТСП. Многочисленные

R, Q

Рис. 5 Температурные зависимости электросопротивления композитов YBCO+CuO.