Люминесценция анион-дефектных кристаллов корунда в интервале температур 300-900 К

• Автор: Соловьев, Сергей Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 137 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Введение

Список основных сокращений и обозначений

1. Люминесценция дефектов в кристаллах а-АЬОз

1Л. Дефекты и люминесценция кристаллов а-А120з

1.2. Радиационное окрашивание

1.3. Термохимическое окрашивание

1.4. Комбинированные методы

1.5. Центры окраски в а-А120з

1.6. Преобразование центров окраски в а-А1203

1.7. Глубокие ловушки в а-А1203

1.8. Кинетика ТЛ
1.9. Реконструкция и температурное тушение кривых ТЛ
1.10. Нерешенные вопросы и направление исследования
1.11. Цель работы и задачи исследования
2. Экспериментальный комплекс, объекты и методы исследования
2.1. Характеристики исследуемых образцов
2.2. Экспериментальный комплекс
2.3. Источники излучения
2.4. Методика регистрации ТЛ
2.5. Методика регистрации спектра термолюминесценции
2.6. Методика регистрации фототрансферной термолюминесценции
2.7. Методика регистрации оптически стимулированной люминесценции
2.8. Методика регистрации рентгенолюминесценции
2.9. Методика регистрации спектров оптического поглощения
2.10. Методика регистрации спектров фотолюминесценции
2.11. Методика заполнения глубоких ловушек
2.12. Методика выполнения изохронного отжига
2.13 Выводы
3. Глубокие ловушки в люминесценции анион-дефектного корунда
3.1. Влияние глубоких ловушек на основной пик ТЛ
3.2. Заполнение глубоких ловушек УФ-излучением
3.3. Влияние заполненных глубоких ловушек на ОСЛ
3.4. Фототрансферная термолюминесценция
3.5. Заполнение глубоких ловушек рентгеновским излучением
3.6. Взаимодействие между глубокими ловушками
3.7. Выводы
4. Расчет кинетических параметров высокотемпературных пиков ТЛ анион-дефектного корунда
4.1. Пик ТЛ около 700 К при пустых глубоких ловушках
4.2. Пик ТЛ около 700 К при заполненных глубоких ловушках
4.3. ТЛ около 900 К
4.4. Проверка способа реконструкции кривых ТЛ на примере основного пика ТЛ
4.5. Выводы
5. Термо- фотоиндуцированное проеобразование центров люминесценции
в анион-дефектных кристаллах а-А120з
5.1. Спектральные особенности ТЛ анион-дефектного корунда
5.2. Преобразование спектров ТЛ
5.3. Преобразование спектров РЛ
5.4. Преобразование спектров ОП и ФЛ
5.5. Обсуждение результатов
5.6. Выводы
Основные результаты и выводы
Библиографический список

Имея экспериментально определенные значения Iq, W и С (fl(T)), реконструируют интенсивность Iunq с помощью уравнения (1.6). После того как реконструированная кривая TJ1 определена, используют стандартные методы расчета кинетических параметров. Как видно, реконструкция экспериментальных кривых ТЛ во многом основана на нахождении параметров тушения W и С.
Описанная процедура применена в [75] для реконструкции основного пика при 450 К экспериментальной кривой ТЛ анион-дефектных кристаллов а-А1203. Результаты показали, что температурное тушение сказывается на значениях энергии активации: 1,26 эВ для пика экспериментальной кривой TJI и 1,44 эВ для пика реконструированной кривой TJT. В работе [76] представлен метод реконструкции по данным экспериментальной кривой TJL В основу метода положен расчет параметров тушения W и С при изменении скорости нагрева методом Монте - Карло.
В литературе отсутствуют сведения о проведении реконструкции кривых TJI с максимумами в диапазоне 400-900 К в кристаллах анион-дефектного корунда, исследуемых в этой работе. Поэтому представляется важным исследовать и разработать методику реконструкции
высокотемпературной TJ1, получить их кинетические параметры.
1.10. Нерешенные вопросы и направление исследования.
Проведенный анализ литературных данных выявил ряд проблемных, нерешенных вопросов в физике явлений стимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов корунда, решение которых может позволить расширить функциональные возможности практического применения этого материала. В соответствии с этим определена необходимость проведения исследований в следующих направлениях:
1. Совершенствование методики избирательного заполнения глубоких ловушек носителями зарядов обоих знаков.