Микромеханические свойства полупроводников, облученных малыми дозами бета-частиц

• Автор: Дмитриевский, Александр Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 292 с. : ил.

Автор выражает искреннюю благодарность своему научному консультанту Заслуженному деятелю науки РФ, доктору физико-математических наук, профессору Головину Юрию Ивановичу, который на протяжении многих лет делился опытом, давал ценные советы, не жалея сил и времени оказывал всестороннюю помощь и поддержку на всех этапах выполнения работы.
Автор также благодарит Ефремову Н.Ю., оказавшую неоценимую помощь в работе, соавторов Бадылевича М.В., Васюкова В.М., Иванова В.E., Коренкова В.В., Косырева П.А., Ловцова А.Р., Пушнина И.А., Толотаева М.Ю., Шуклинова A.B. за всестороннюю поддержку и помощь в проведении экспериментов, сотрудников кафедры ТЭФ и научно-образовательного центра «Нанотехнологии и наноматериалы» за безграничное терпение, интерес к работе и плодотворные обсуждения, неизменную доброжелательность и теплые, дружеские отношения.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ

1.1. Радиационное дефектообразование

1.1.1. Генерация первичных радиационных дефектов

1.1.2. Квазихимические реакции в подсистеме структурных (собственных и радиационных) дефектов

1.1.3. Особенности накопления радиационных дефектов в

зависимости от типа и энергии заряженных частиц

1.2. Ионизирующее облучение как метод модификации физических
свойств кристаллов с различными типами химической связи
1.2.1. Модификация структуры и свойств твердых тел с молекулярным типом связи под действием ионизирующего облучения
1.2.2. Физические свойства ковалентных полупроводников, чувствительные к наличию радиационных дефектов
1.3. Роль дислокаций и фазовых превращений под индентором при
локальном нагружении поверхности кремния
1.3.1. Дислокационная структура при индентировании кремния (О роли дислокаций в процессе массопереноса при
индентировании кремния)
1.3.2. Фазовые превращения в кремнии при локальном нагружении
1.4. Количественные параметры облучения, а также воздействий нерадиационной природы, определяющие качественный характер и величину отклика материала
1.4.1. Особенности накопления радиационных дефектов при низкоинтенсивном облучении
1.4.2. Большие, умеренные и малые дозы облучения
1.4.3. Интерпретации малодозовых эффектов и возникающие при
этом противоречия
1.4.4. Влияние физических полей нерадиационной природы на
эффекты, индуцируемые ионизирующим облучением
1.4.5. Резонансные эффекты, индуцируемые слабыми магнитными
полями
1.5. Постановка цели и формулировка задач исследования
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Исследуемые материалы, подготовка и контроль состояния образцов
перед экспериментами и в процессе тестирования
2.2. Характеристики внешних воздействий
2.2.1. Бета-облучение
2.2.2. Гамма-облучение
2.2.3. Магнитные поля
2.2.4. Комбинированное действие бета-облучения и электрического поля
2.2.5. Термические воздействия
2.3. Методы тестирования и рабочие характеристики оборудования
2.3.1. Механические характеристики
2.3.2. Электрические характеристики
2.3.3. Фазовые превращения в кремнии под индентором

Н-ге1аЩс1 Ес = - 0,45
С.-Рэ (0/+) Еу = +0,48
К-А1 (+/0) Еу = +0,48
V-В (+/0) Еу = +0,45 62,
е5 Еу = +0,44
Уз-О, У2-02, У3-03 Еу = +0,40
с,-о, Еу = +0,36 50-54,
с,-о,(+/0) Еу = +0,35
к2-о-с Еу — +0,35 47, 48,
С,-С5 (+/0) Еу = +0,33
У-О-С (+/0) СП о + II ь!
В,-В5 Еу — +0,30
в,-с5 Еу = +0,29
У2 Еу= +0,28
с, Еу = +0,28
Н-геЫес! Еу = +0,27
С, (+/0) Еу = +0,27
А1, (++/0) Еу — +0,25
А1,-А15 Еу = +0,23
У2 (+/0) Еу = +0,20
В, Еу = +0,18
V- О-С £у = +0,16
с,-с5 (+/0) Еу = +0,09
Определяя энергетическое положение донорных или акцепторных комплексов в запрещенной зоне (например, методом НЕСГУ) можно, тем самым, идентифицировать тип радиационных дефектов, образующихся в определенных условиях облучения.
Еще одним удобным критерием для систематизации радиационных дефектов является температура отжига. Следует также отметить, что исследования изменений физических свойств при изохронном отжиге кристаллов в ряде случаев позволяют идентифицировать радиационные дефекты, определяющие эти свойства. В связи с