Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- Автор:
Лошкарев, Иван Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах | Бурханов, Анвер Идрисович | 2004 |
| Люминесценция, дефекты и рекомбинационные процессы в кристаллах боратов лития | Порывай, Никита Евгеньевич | 2009 |
| Микроскопическая теория структурных и фазовых превращений в смектических жидких кристаллах | Хейфец, Борис Борисович | 2014 |