Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- Автор:
Лошкарев, Иван Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии», автор — Лошкарев, Иван Дмитриевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2013 году. Объем работы: 135 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006712840. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком | Сысоева Светлана Геннадьевна | 2018 |
| Квантовые явления в процессе релаксации подсистемы структурных дефектов ионных кристаллов в магнитном поле | Дмитриевский, Александр Александрович | 2000 |
| Закономерности процессов двойникования, обусловленные дефектной структурой, сформированной механико-термическим воздействием, на примере технически чистого титана | Никулин, Иван Сергеевич | 2010 |