Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- Автор:
Лошкарев, Иван Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Обменное взаимодействие и коллективные свойства экситонов в наносистемах EuO-SrO | Сомова Наталья Юрьевна | 2017 |
| Характеристики структуры на микро-, мезо- и макромасштабном уровне и развитие зернограничного скольжения при пластической деформации ультрамелкозернистых металлов с ГЦК-решеткой | Иванов, Константин Вениаминович | 2015 |
| Особенности формирования теплофизических свойств и структуры псевдосплавов на основе пористых тугоплавких каркасов, инфильтрованных медью | Прасицкий Григорий Васильевич | 2020 |