Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- Автор:
Лошкарев, Иван Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe | Сумьянова, Елена Владимировна | 2006 |
| Спектроскопические свойства и безызлучательные взаимодействия трехвалентных ионов иттербия, эрбия и церия в монокристаллах оксиортосиликатов кальция-гадолиния | Ворошилов, Игорь Валерьевич | 2000 |
| Микроскопическая природа диэлектрических аномалий, сегнетоэлектрической неустойчивости решетки и спонтанной поляризации в кристаллах | Квятковский, Олег Евгеньевич | 1998 |