Напряженное состояние и дислокационная структура пленок GaAs, GaP и GeSi на кремнии
- Автор:
Лошкарев, Иван Дмитриевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
135 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные эффекты ионизации в широкозонных диэлектриках | Скуратов, Владимир Алексеевич | 2008 |
| Особенности структуры и электретного состояния волокнитов полиэтилена и полипропилена | Викторович, Анна Сергеевна | 2010 |
| Электрофизические свойства полипропилена с дисперсными наполнителями | Фомичева, Елена Егоровна | 2011 |