Оптическая спектроскопия электрон-фотонных и электрон-фононных возбуждений в системах с пониженной размерностью

• Автор: Федоров, Анатолий Валентинович
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 299 с. : ил.

В. Обзор литературы
В.1. Энергетический спектр низкоразмерных систем
В.2. Оптическая спектроскопия квантовых ям и нитей
В.З. Двухфотониая спектроскопия квантовых точек
В.4. Электрон-фоионное взаимодействие в квантовых точках
В.5. Энергетическая п фазовая релаксация в квантовых
точках
1. Оптическая спектроскопия критических точек в квантовых наноструктурах
1.1. Введение
1.2. Критические точки адиабатических потенциалов электрон-колсбатсльпых систем: Форма линии поглощения и люминесценции
1.3. Критические точки электронного зонного спектра в
иоле сильной электромагнитной волны
1.4. Однофотоппое поглощение в условиях двойного оптического резонанса
1.5. Двухфотонное поглощение в условиях двойного оптического резонанса
1.С. Выводы к первой главе
2. Оптическая спектроскопия электрон-фопонного взаимодействия в квантовых точках
2.1. Введение
2.2. Одно- и двухфотонные переходы в полупроводниковых квантовых точках
2.3. Взаимодействие экентопов в квантовых точках с оптическими фомопами
2.4. Миогофонониоо поглощение света в квантовых точках
2.5. Резонансное римановское рассеяние света квантовыми точками
2.6. Перенормировка энергетического спектра квантовых
точек в условиях колебательного резонанса
2.7. Акустические фонопы в системе квантовые точки
матрица: поглощение света и люминесценция с участием акустических фононов
2.8. Выводы к второй главе
Когерентный контроль спонтанного вторичного свечения квантовых точек
3.1. Введение
3.2. Квазиупругое спонтанное вторичное свечение при резонансном возбуждении
3.3. Спонтанное вторичное свечение с участием фононов
при резонансном возбуждении
3.4. Когерентный контроль термализоваиной люминесценции полупроводниковых квантовых точек
3.5. Когерентный контроль фундаментального перехода в
одиночной квантовой точке
3.6. Выводы к третьей главе
Релаксация носителей заряда в квантовых точках с участием
плазмон-фононпых мод
4.1. Введение
4.2. Связанные плазмон-фоноиные моды в полупроводниковой гстероструктуре
4.3. Скорость внутризонной релаксации электронных возбуждений квантовой точки
4.4. Фотолюминесценция квантовых точек, встроенных в легированные гетероструктуры
4.5. Выводы к четвертой главе
Выводы
Литература

Рис. 1.2. Левая панель: Зависимость функции fb{D, ~i,sr2) от частотной расстройки D и параметров Считается, что cj = 1 и щ = «2 = 0. Часть графика при
D > 0, гщ > 0 относится к случаю критической точки типа минимум, а при D < 0, oti < 0 - к критической точке типа максимум. Правая панель: Зависимость функции fsp(D,Я71,п72) °т частотной расстройки D и параметров гщ, ст2- Считается, что |е72| = 1 и и 1 = «2 = 0.
с) В наиболее общем для двумерной задачи случае, когда имеет место сдвиг адиабатического потенциала конечного электронного состояния (ап ф 0) и его кривизна отличается от кривизны начального состояния (vjn ф 0), т.е. критические точки расположены не в начале координат, а сдвинуты в положение Qon = ±а„/2ст„, аналитические выражения для комбинированной плотности состояний Jif{u) заметно усложняются. Так, для критических точек типа минимум (zji,zz2 > 0) при произвольном соотношении между величинами w и с?2 комбинированная плотность состояний Jif{и>) описывается следующим выражением:
•Л/М = ßAfc(D,ui,U2,ni,&2) = ^"y/2e~A2~Z2T+

X ^2 COs(2n arcsin t)In(Z2T-)l2n(Z^2^), (1.4)