Многоуровневое моделирование механизмов и кинетики роста пленок оксидов металлов

• Автор: Белов, Иван Валерьевич
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 126 с. : ил.

1. ГЕТЕРОГЕННЫЕ РЕАКЦИИ С УЧАСТИЕМ ХЛОРИДОВ МЕТАЛЛОВ И ВОДЫ С ГИДРОКСИЛИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ ПЛЁНКИ ОКСИДА МЕТАЛЛА
1.1. Введение к главе
1.2. Расчёт параметров реакций из первых принципов основных
ЭЛЕМЕНТАРНЫХ СТАДИЙ ИДУЩИХ ПРИ ОСАЖДЕНИИ ПЛЁНОК М02
1.3. Анализ реакций элементарных стадий осаждения
1.3.1 Элементарные процессы и микрокинетика
1.3.2 Оценка времени химической трансформации МСЦ
1.3.3 Оценка времени релаксации энергии молекулы МСЦ
1.4. Расчёт макроскопических констант скоростей элементарных реакций
1.5. Выводы к главе
2. ДИФФУЗИЯ МОЛЕКУЛЫ ПО ПОВЕРХНОСТИ ПРИ РЕАКЦИИ АДСОРБЦИИ
2.1 Введение к главе
2.2. Микрокинетика и макроскопические константы скорости с учетом диффузии адсорбируемой молекулы по поверхности
2.3. Приближенное решение уравнения для нахождения функции распределения продукта по поверхностным центрам
2.4. Выводы к главе
3. МЕХАНИЗМ И КИНЕТИКА РОСТА ТОНКОЙ ПЛЁНКИ ОКСИДА
, • м.л.г.* ■>
ЦИРКОНИЯ И ГАФНИЯ МЕТОДОМ ОСАЖДЕНИЯ АТОМНЫХ СЛОЁВ
3.1. Введение к главе
3.2. Формальное кинетическое моделирование
3.3. Модель АЕО реактора при формальном кинетическом моделировании

3.4. Результаты формального кинетического моделирования
3.5. Расширение кинетической схемы минимального механизма
3.6. Выводы к главе 3
4. АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕХАНИЗМА И КИНЕТИКИ РОСТА ПЛЁНКИ ОКСИДА МЕТАЛЛА
4.1. Введение к главе
4.2. Модель атомистического моделирования роста плёнки оксида металла
4.3. Атомистическое моделирование начального роста плёнки оксида циркония на поверхности кремния (100)
4.4. Атомистическое моделирование роста плёнки оксида циркония
4.5. Выводы к главе
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Фундаментом современной схемотехники является CMOS-логика -Complementary Metal Oxide Semiconductor, полупроводниковые компоненты на базе металл-оксидных элементов (КМОП), состоящие из транзисторов с n-каналом (NMOS, negative) и p-каналом (PMOS, positive). Для изменения состояния транзисторов, требуется приложить потенциал к управляющему электроду - так называемому затвору. От приложенного потенциала зависит состояние транзистора - открыт он или закрыт.
В данной работе будет рассматриваться полевой транзистор с изолированным затвором - т.е. транзистор, затвор которого отделен от канала слоем диэлектрика (см. Рис. 1).
О - Ur.
ИСТОК
затвор

СТОК

п-типа
Рис. 1. Полевой транзистор с изолированным затвором.
Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из:
' . ; С- С
1. Кристалла полупроводника с относительно высоким удельным сопротивлением, который называют подложкой.

Пусть газовая молекула В сталкивается с активным центром А/во/ и физически адсорбируется на нём, образуя поверхностный комплекс АВ/во/. Адсорбированная молекула В может прыгать вдоль решётки А{со}/з/ (вдоль оси г, см. Рис. 13) преодолевая потенциальные барьеры, которые возникают из-за необходимости перестановки химических связей (изомеризация предреакционного' комплекса А{оо}В/э/). Обычный вид
(г)
потенциальной энергии вдоль реакционного пути и • (г) для процесса

диффузии молекулы по поверхности представлен на Рис. 14.
Рис. 14. Тип профиля пути реакции для реакции диффузии адсорбируемой молекулы В по поверхностным центрам А/я/. ТС^+1 - переходные комплексы для диффузии адсорбируемой молекулы В с А/б/ поверхностного центра на А/БрУ поверхностный центр.
Диффузионный процесс характеризуется энергией:
- энергия активации процесса изомеризации АВ/э/ в АВ/у+Дстандартная внутренняя энергия образования переходного комплекса ТСДи или ТСуу из АВ/э/ взятого при температуре О К для