Коллективные явления в неоднородных конденсированных средах с учётом межчастичных корреляций

• Автор: Дубовик, Владислав Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.02
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 219 с. : ил.

®®©Д©Ш1Ш©

ишмшоиешпгшй заршкепшой ферми-жшдвшета в модели "жел®"
§1. Низкочастотные волны поляризации §2. Нуль-звуковые колебания
полуметаллов и полупроводников е учетом межчастшчныж корреляции

§1. Учёт ферми-жидкостного взаимодействия электронов к . в однозонном приближении
§2. Электронная ферми-жидкость при наличии межзонньзх переходов
2.1 Кулоновские потенциалы взаимодействия и g-фaктop электронов
2.2 Обобщение теории диэлектрической проницаемости электронной ферми-жидкости на двухзонный случай
2.3 Спектры коллективных возбуждений в металлах
Глава 3» Коллективны® явления в неоднородных шолушроводшшках ш
яшлуметаллаж с учетом корреляций менаду электронами
§1. О коллективных возбуждениях в полупроводниках и полуметаллах с учётом межэлектронных корреляций
1.1 Спектры коллективных возбуждений в полупроводниках и
полуметаллах с учётом межэлектронных корреляций
1.2 О параметрическом возбуждении электронного звука в
полупроводниках и полуметаллах 7(
§2. Кинетические явления в полупроводнике, помещённом в
пространственно неоднородное электромагнитное поле 8С
2.1 К теории генерации сильного поля в полупроводниковом лазере
2.2 О поглощении сильного поля
4„ Корреляции флуктуаций локалышог© поля ш троотраиствшиш
дишвршя в аморфных диэлектриках
§1. Пространственная дисперсия в аморфной среде, вызванная
флуктуациями анизотропии
1.1 Поляризация аморфной среды из анизотропных молекул
1.2 Позиционное усреднение действующего на молекулу поля
1.3 Диэлектрическая проницаемость среды из аксиально-симметричных молекул
1.4 О дисперсионном уравнении для продольных волн
1.5 Сравнение флуктуационного и структурного вкладов в пространственную дисперсию среды
§2. Пространственная дисперсия в многокомпонентном аморфном
диэлектрике Ш
2.1 Поляризация и диэлектрическая проницаемость многокомпонентного диэлектрика
2.2 Аномальные электромагнитные волны
2.3 Отражение аномальной волны от поверхности раздела двух сред
2.4 О пространственной дисперсии в двухкомпонентной среде
2.4.1 Волны на поверхности двухкомпонентной среды
2.4 2 О черенковском излучении в двухкомпонентных средах
Глава §„ О локальном толе, дигалектгрмнеевшй троиищаемюсти и
электромашштшых волнах в ©дшоошых кристаллах 13С
Глава
§1. Влияние флуктуаций анизотропии молекул на температурную
1.1 Поляризуемость молекулы кристалла
1.2 Поляризация одноосного кристалла
1.3 Зависимость диэлектрической проницаемости кристалла
от температуры
1.4 Вклад электронов проводимости в диэлектрическую проницаемость кристаллического полупроводника
§2. Об отражении электромагнитных воля в одномерно неоднородной

2.1 Поле в одномерно неоднородной анизотропной среде
2.2 Одноосный одномерно неоднородный кристалл
2.3 Поле Н- волны вблизи нулей главных значений тензора диэлектрической проницаемости кристалла
2.4 Отражение //-волны от слоя одноосного одномерно неоднородного диэлектрика

§1. Колебания на поверхности раздела электромагнитного кристалла:
1.1 с диэлектриком;
1.2 с композитом «диэлектрик-диэлектрик»: 164 §2. Колебания на поверхности раздела композитной среды:
2.1 «металл-диэлектрик» с диэлектриком;
2.2 «металл-диэлектрик» с металлом (ферми-жидкостью);
exp(-ИтФг) под знаком интеграла делает перебросы в далёкие зоны Бриллюэна маловероятными. Из известного правила сумм для осцилляторов
Еп(Еп -Eg) | | 2 = (к2/2т) (2.33)
следует, что при Ь# 0 межзонные g-факторы порядка единицы, так как для малых передаваемых импульсов к »2тЛ. С помощью коммутатора [.Н, ехр(4кг)] нетрудно получить для них общее соотношение, справедливое при произвольных к:
=(2я/ме)[Еь (кЬ)а*р+2мрар+2^х
х [Ер -ß - Ера+ (kp/mj-(k2/2me)f1 ~1, (2.34)
где Qp+2nb, а - фурье-образ МОДулируЮЩСЙ блоховской функции Up'Jr), Ера- энергия электрона в состоянии | р а >. Очевидно, для нормальных процессов, когда k=q«pF, недиагональный g- фактор является малой величиной.
Вводя матричный элемент daß дипольнош перехода между электронными состояниями а и ß ( разной симметрии ) можно записать в этом случае (Ь= 0) g- фактор в следующем виде:
gaß = Saß + (qep) | daß (.l-Saß) (2.35)
Таким образом, перебросы весьма существенны для межзонных переходов. Это обстоятельство в цитированных выше работах [55'57^ вовсе не учитывалось. В то же время, как показано выше, межзонные переходы и процессы переброса должны учитываться одновременно, что совершенно естественно, например, с точки зрения схемы расширенных зон. (В Приложении 1 (cmJ52] ) изучены свойства электронного g-фаюгора в одномерной модели дираковекой потенциальной гребёнки, подтверждающие полученные выше общие соотношения).