Деформирование материалов при комбинированном воздействии механических и слабых электромагнитных полей

• Автор: Кац, Виктор Михайлович
• Шифр специальности: 01.02.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 102 с. : ил.

Содержание
Введение
Глава 1. Взаимодействие слабого магнитного поля с веществом
1.1. Магнитное поле в задачах механики связанных полей
1.2. Влияние магнитного поля на физико-химические процессы
1.3. Влияние магнитного поля на параметры деформирования твердых

1.3.1. Магнитообусловленная подвижность дислокаций
1.3.2. Резонанс перемещения дислокаций в скрещенных магнитных полях
1.3.3. Подвижность дислокаций при кратковременном механическом нагружении кристалла №С1 электронным пучком
1.4. Макропластичность в присутствии слабых магнитных полей
1.4.1. Магнитопластический эффект при статическом и квазистаическом нагружении
1.4.2. Магнитопластичность при кратковременных нагружениях
Глава 2. Методика и техника эксперимента
2.1. Исследование микропластичности в кристаллах ЫаС1 в условиях ЭПР в магнитном поле Земли и радиочастотном поле накачки
2.1.1. Установка для создания радиочастотного поля накачки
2.1.2. Измерение магнитного поля Земли в месте постановки образца
2.1.3. Схема проведения экспериментов
2.2. Исследование микропластичности в кристаллах ЫаС1 в условиях ЭПР в магнитном поле Земли и импульсном поле накачки

2.2.1. Установка для создания импульсного поля накачки
2.2.2. Индукция импульса магнитного поля
2.3. Исследование влияния магнитного поля на параметры деформирования кристаллов 1ЧаС1 под действием динамической нагрузки
2.3.1. Применение электронного пучка для генерации кратковременных механических импульсов
2.3.2. Магнитоимпульсный метод возбуждения механического импульса напряжения в плоской пластине
2.3.3. Построение динамической диаграммы напряжение-деформация
Глава 3. Магнитопластический эффект и резонансные перемещения дислокаций в кристаллах 14аС1 в условиях ЭПР в магнитном поле Земли
3.1. Подвижность дислокаций под действием скрещенных радиочастотного магнитного поля накачки и магнитного поля Земли..
3.1.1. Два пика дислокационных пробегов для разных ориентаций поля накачки
3.1.2. Зависимость эффекта от амплитуды поля накачки и времени экспозиции образца
3.1.3. Порог эффекта по амплитуде поля накачки
3.2. Упрощенная физическая модель наблюдаемого резонанса и её экспериментальная проверка
3.2.1 Упрощенная модель наблюдаемого резонанса
3.2.2. Экспериментальная проверка предсказаний модели

3.3. Подвижность дислокаций под действием скрещенных импульсного
магнитного поля накачки и магнитного поля Земли
3.3.1. Резонансы дислокационных пробегов при условии перпендикулярности и параллельности магнитных полей импульсной накачки и Земли
3.3.2. Порог эффекта по амплитуде поля накачки
Глава 4. Разупрочнение кристалла ЫаС1 при совместном действии механических и магнитных полей в условиях динамического нагружения
4.1. Моделирование распространения короткого упруго пластического
импульса в кристаллах ЫаС1 в условиях воздействия слабого импульсного магнитного поля
4.1.1. Постановка задачи и ее модель
4.1.2. Анализ результатов
4.2. Магнитопластический эффект при динамическом импульсном нагружении образца
4.2.1. Некоторые особенности динамического нагружения
4.2.2. Влияние магнитопластического эффекта на предел текучести кристаллов №
Заключение
Список литературы

сопротивление нагрузки /О = 50 Ом, падение напряжения на котором измерялось тем же осциллографом (второй канал - СН2). Плоскость витка была перпендикулярна вектору магнитного поля В . Характерные осциллограммы сигналов напряжения (/(/) и магнитной индукции В(1) показаны на рисунке 2.3. Измеренная амплитуда поля накачки Вт согласуется с известной формулой
в Но 2ид т 4тг Л,А ’
где - магнитная постоянная, И - расстояние от оси проводника до образца.
и, V В, кг
Рисунок 2.3. Характерные осциллограммы синусоидального напряжения [/(/) (У) генератора сигналов и индукции переменного магнитного поля
т (2).
Образец ЫаС1 помещался в специальное «гнездо», установленное на витке датчика магнитного поля. Во всех опытах он находился на одном и том же расстоянии А=10лш от оси центрального провода, но его