Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs

• Автор: Деребезов, Илья Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 148 с. : ил.

Список основных сокращений JTBP - лазер с вертикальным резонатором КЯ - квантовая яма КТ - квантовая точка
РБО - распределенный брэгговский отражатель
BOJIC — волоконно-оптические линии связи
МС - параметр модовой стабильности
ФШ - фотошаблон
ЛД - лазерный диод
CAMFR - CAvity Modelling Framework
А - диаметр оксидной апертуры
КПН - когерентное пленение населенностей
СЭМ - сканирующий электронный микроскоп

Содержание
Содержание З
Введение
Г лава 1. Лазеры с вертикальным резонатором
1.1 Принцип работы и структура мод ЛВР
1.2 Лазеры с низким порогом
1.3 Миниатюрный атомный стандарт частоты на основе ЛВР
Г лава 2. Методы расчета характеристик микрорезонаторов
2.1. Модель характеристических матриц
2.2. Модель собственных мод
Г лава 3. Экспериментальное оборудование и методики
3.1. Методики измерения характеристик ЛВР и тестовых образцов
3.2. Изготовление ЛВР 42 Г лава 4. Исследование характеристик ЛВР с длиной волны генерации 850 нм
на основе GaAs квантовых ям
4.1. Дизайн структуры и расчет характеристик лазера с вертикальным резонатором на основе GaAs квантовых ям
4.2. Исследование генерационных характеристик ЛВР на основе
GaAs квантовых ям
4.3. Модель тонкой структуры линий излучения основной моды ЛВР 74 Глава 5. Разработка и исследование характеристик ЛВР
основе InGaAs квантовых ям
5.1. Разработка ЛВР с малыми оптическими потерями
5.2. Исследование спектральных и генерационных характеристик лазеров с
вертикальным резонатором на основе InGaAs квантовой ямы

Глава 6. Исследование характеристик JTBP с длинной волны генерации 795 нм
на основе AlGaAs квантовых ям
6.1. Миниатюрный атомный стандарт частоты на основе J1BP
6.2. Оптимизация режимов роста JIBP с целью получения резонансной
длины волны микрорезонатора с точностью ±1 нм
6.3. Исследование спектральных и генерационных характеристик
лазеров с вертикальным резонатором
6.4. Анализ температурных зависимостей длины волны лазерного излучения в диапазоне температур 20 -г 80 0 С;
Заключение
Список литературы 13
Приложение А. Структура JIBP на основе GaAs квантовых ям
Приложение Б. Структура ЛВР на основе InGaAs квантовых ям
Приложение В. Структура ЛВР на основе AlGaAs квантовых ям
Приложение Д. Тестовая структура для образцов №1, №2, №3

Рис. 3.1.1 Блок схема установки измерения спектров фотолюминесценции и спектров
отражения.