Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se

• Автор: Ибрагимов, Нураддин Азиз оглы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 136 c. : ил

ГЛАВА I. Обзор литературы по физическим свойствам

сульфида и селенида меди

1.1. Структурное исследование сульфида и селенида меди

1.2. Электрофизические свойства сульфида и селенида

меди

1.3. Оптические свойства сульфида и селенида меди

Глава II. Получение поли- и монокристаллов Сиг$ и Си^е

и методика измерения

2.1. Синтез сульфида и селенида меди

2.2. Выращивание монокристаллов сульфида и селенида

меди методом медленного охлаждения

2.3. Методика измерений и принцип действия установки
для одноосного сжатия
2.4. Методика измерений и описание установки для исследования электрических свойств
2.5. Методика измерений оптических свойств
2.6. Изготовление образцов для исследований
Глава III. Механические свойства сульфида и селенида меди
3.1. Диаграмма растяжение-сжатие
3.2. Потенциальная энергия деформации
3.3. Исследование механических свойств поли- и моно-кристаллических соединений Си28 в ходе одноосной деформации в температурном интервале (293-773 К)
3.4. Исследование механических свойств поли- и моно-кристаллических соединений Сц^е в ходе одноосной деформации при различных температурах

ГЛАВА 17. Изучение электрофизических свойств соединений
CuÄS и Cu2Se при одноосном сжатии
4.1. Влияние деформации на электрофизические параметры полупроводника
4.2. Влияние одноосного сжатия на проводимости полии монокристаллических соединений Cu2S
4.3. Влияние одноосного сжатия на проводимости полии монокристаллических соединений CugSe
4.4. Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры и давления
Глава V, Влияние одноосного сжатия на оптические свойства
соединений Сц28 и Cu2Se
5.1. Прямые и непрямые оптические переходы
5.2. Исследование зависимости коэффициентов отражения
И поглощения ОТ давления ДЛЯ соединения CUjiS
5.3. Исследование зависимости коэффициентов отражения
и поглощения от давления для соединения Cu2Se
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОЛЫ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность теш. Возрастающий интерес к исследованию свойств сульфида и селенида меди вызван тем, что они обладают особыми фотоэлектрическими и термоэлектрическими свойствами, имеющими большое практическое применение. Так, например, результаты работ [1-3] свидетельствуют о том, что Си28е с избытком меди является перспективным термоэлектрическим материалом для положительных ветвей полупроводниковых термоэлементов. А сульфид меди используется в качестве эффективного инжектора дырок в гетероструктурах, для которых характерна электролюминесценция. Практически важно, что халькогениды меди сохраняют полупроводниковые свойства при температурах, выше температуры плавления. Это делает перспективным их использование в качестве основных сплавов для жидких термоэлементов.
Кроме того, сульфиды и селениды меди находят широкое применение при изготовлении быстродействующих переключателей, датчиков излучения, термодатчиков, пленочных элементов [4].
В некоторых случаях полупроводники и полупроводниковые приборы (сконструированные на основе халькогенидов меди) находятся в специфических условиях, в которых они подвергаются одноосному сжатию и растяжению, в результате чего изменяются их механические, электрические и оптические свойства. Отсутствие данных о механических (предел прочности, модуль Юнга), и электрофизических (термический коэффициент и коэффициент давления, ширина запрещенной зоны, константа деформационного потенциала валентной зоны и зоны проводимости и т.д.) свойствах при одноосном сжатии вызывает ряд трудностей при конструировании полупроводниковых приборов. Кроме того изучение влияния давления на электрофизические и оптические

где З3 - интенсивность отраженного луча, а К3- коэффициент отражения зеркала. На основании спектрограммы коэффициент отражения образцов ( ) вычислялся по формуле:
I? v^o5.
Учитывая (2.3), получим
К,. = (2.4)
где У0в- интенсивность отраженного луча от поверхности образца.
Используя спектр отражения вычислялись другие оптические параметры.
Для вычисления фазового угла Ш.), ипользовалась формула, где учтена сильная зависимость коэффициента отражения от частоты.
Л(ч1= -L- Га (2.5)
2П J0 о.)+U)o dud
где a)- угловая частота.
Вычисления проводились методом интерполяционного суммирования.
Чтобы использовать это соотношение для анализа данных по отражению, нет необходимости производить измерения во всем диапазоне частот от нулевой до бесконечно большой, При анализе определенной полосы поглощения, измерения нужно выполнять только до тех частот по обе стороны этой полосы, при которых отражательная способность практически перестает изменяться, так как благодаря "весовой" функции ^П(и)-Ч)/(03+Ч)» величина Ь(Ч) стремится к нулю при частотах, достаточно удаленных от области сильного изменения
Зная фазовый утол для любой частоты можно определить показатель поглощения К или коэффициент поглощения 0^ следующим образом:
К = 2.VR StnA(uV)
1+К—2-Vk cosmic)