Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
- Автор:
Диденко, Сергей Иванович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
145 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума | Ермачихин, Александр Валерьевич | 2014 |
| Моделирование процессов термического выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников | Казанцев, Дмитрий Михайлович | 2018 |
| Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках | Лясковский, Владимир Леонидович | 2007 |