Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
- Автор:
Диденко, Сергей Иванович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
145 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5 | Глотов, Антон Валерьевич | 2011 |
| Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации | Ишимов, Виктор Михайлович | 2002 |
| Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение | Мансуров, Владимир Геннадьевич | 2000 |