Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U

• Автор: Диденко, Сергей Иванович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 145 с.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ИОНОВ С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ
МИШЕНЬЮ А111В1
1.1. Введение
1.2. Механизмы, описывающие взаимодействие налетающих высокоэнергетических частиц с атомами мишени
1.2.1. Основные подходы к описанию взаимодействия
ион - атомы мишени
1.2.2. Ядерное торможение и угол рассеяния
1.2.3. Электронное торможение
1.2.4. Тепловые колебания решетки
1.3. Структура упорядоченных мишеней
1.4. Описание программы расчета профилей распределения ионов в кристаллической решетке полупроводниковых соединений А1Х1ВУ
1.5. Расчетные результаты пробегов высокоэнергетических ионов в полупроводниковой мишени АХХ1ВУ
1.6. Основные результаты и выводы
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА ОТЖИГА,
ПРОВОДИМОГО ПОСЛЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В СОЕДИНЕНИЯХ СаАэ И 1пР
2.1. Введение
2.2. Методика эксперимента
2.3. Экспериментальные результаты, моделирование и обсуждение
2.4. Основные результаты и выводы
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ АХХХВУ
3.1. Введение
3.2. Общие характеристики барьеров Шоттки
3.3. Барьеры Шоттки на GaAs
3.4. Барьеры Шоттки на GaP
3.5. Барьеры Шоттки на GaAso.ePoM
3.6. Влияние облучения быстрыми электронами на
электрофизические характеристики и параметры БШ на основе соединений AIIJ:BV
3.7. Зависимости концентрации носителей заряда в БШ на основе полупроводниковых соединений AII:tBv от потока быстрых электронов
3.8. Основные результаты и выводы
ГЛАВА 4. Энергетический спектр и кинетика накопления глубоких
центров в структурах 'с барьером Шоттки на широкозонных полупроводниках типа Aii:iBv при радиационном воздействии
4.1. Введение
4.2. Методика эксперимента
4.3. Основные параметры и зависимости концентрации и скорости введения глубоких центров от потока быстрых электронов в БШ на основе полупроводниковых материалов AIXIBV
4.4. Сравнительный анализ параметров ГЦ в ионноимплантированных слоях и облученных быстрыми электронами структурах
4.5. Основные результаты и выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
ПРИЛОЖЕНИЕ 1 БЛОК-СХЕМА ПРОГРАММЫ IMPLANT
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 БЛОК-СХЕМА ПРОГРАММЫ DAGH
ПРИЛОЖЕНИЕ 3 БЛОК-СХЕМА СОПРЯЖЕНИЯ УСТАНОВКИ РСГУ С ЭВМ

ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время электроника вообще и полупроводниковые приборы в частности развиваются настолько стремительно, что сегодняшние представления завтра уже могут оказаться устаревшими. Поэтому необходимо ясно понимать физические процессы лежащие в основе технологии изготовления полупроводниковых приборов. Одним из основных способов создания любых полупроводниковых приборов является введение примеси в полупроводниковый кристалл (легирование) . Наиболее распространенными способами легирования полупроводниковых подложек являются введение примесей в процессе роста кристалла (эпитаксия), диффузия, вплавление и ионная имплантация
В последние годы постоянно расширяется диапазон областей применения метода ионной имплантации (ИИ) в технологическом цикле изготовления полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС). Особенно заметны успехи применения ИИ при создании ПП и ИМС СВЧ и оптического диапазонов, в том числе и на основе полупроводниковых соединений А11ХВУ. Эффективность использования ИИ определяется рядом существенных преимуществ перед традиционными технологическими приемами, в частности, возможностью введения в полупроводниковую подложку практически любого иона; возможностью создания в полупроводниковой структуре не только примесных центров, обладающих донорными или акцепторными свойствами, но и глубоких рекомбинационных центров; широким диапазоном концентраций легирующей примеси; высокой точностью соблюдения заданных размеров активных областей; точностью контроля концентрации вводимой примеси; хорошей воспроизводимостью распределения ионов по глубине.
Основными проблемами, возникающими при проектировании приборов с заданными характеристиками, являются расчет пробегов частиц и предсказание профиля распределения примеси. Несмотря на большое количество работ, посвященных этой проблеме, до сих пор наблюдаются достаточно большие расхождения между реально измеренными и рассчитанными профилями распределения примесных ато-

X, мкм
Профили распределения Э, имплантированной в СаАэ с Ф=1014 см"2

X, мкм
Профили распределения Ве, имплантированного в 1пАз с Ф=5'1014 см"2