Моделирование физических явлений в инноимплантированных приборных структурах на основе соединений A III B U
- Автор:
Диденко, Сергей Иванович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
145 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках | Петров, Дмитрий Викторович | 2010 |
| Разработка физических основ молекулярно-пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктур и ВТСП соединений | Мамутин, Владимир Васильевич | 2011 |
| Исследование эмиссии носителей заряда из квантовых точек и ям In(Ga)As/GaAs в матрицу полупроводника методами фотоэлектрической спектроскопии | Волкова, Наталья Сергеевна | 2014 |