Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx

• Автор: Мартяхин, Валерий Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1987
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 192 с.

Глава I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА
1.1. Кристаллическая структура и энергетический спектр сплавов висмут-сурьма
1.2. Законы дисперсии в висмуте и сплавах висмут-сурьма
1.3. Влияние внешних воздействий на энергетический спектр сплавов висмут-сурьма
1.4. Электрические и оптические свойства полупроводниковых сплавов Вснх -$ЬА
1.5. Анализ литературных данных и постановка
задачи исследований
Глава II. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ЬЬх
2.1. Используемые образцы
2.2. Установки для исследования электрических
и фотоэлектрических свойств П-ВснХ^Ьх
2.3. Автоматизированная система для исследований спектрального распределения ФП и ФМЭ
Глава III. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТШЧЕСКЙЕ СВОЙСТВА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ п - 311-х 5Ьх
3.1. Элементы теории ФП и ФМЭ
3.2. Полевые зависимости ФП и ФМЭ при температурах 4,2+40°К
3.3. Спектральные зависимости ФП и ФМЭ
3.4. Примесные состояния в сплавах П~31/-х $Ьх
3.5. Анализ электрических свойств полупроводниковых сплавов Н~В1ьх $Ьх

Глава 17. РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
СПЛАВОВ П- Ві/-Х 8Ьх
4.1. Определение времен жизни неравновесных носителей заряда в полупроводншсовых сплавах Ві-ЬЬ
> 4.2. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах л- Ві/-у 5Ь* ш
••г
4.3. Фотоотклик в скрещенных электрическом и
магнитном полях
Глава V. ПРИЕМНИКИ ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ Л-Ві^ЗЬх
5.1. Характеристики приемников
5.2. Применение приемников из полупроводниковых сплавов П~ &і{-х ВЬх
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА

Дальний ИК и субмиллиметровый диапазоны являются сравнительно новыми и недостаточно освоенными диапазонами электромагнитных волн, которые в последние годы находят все более широкое применение в науке и технике. При освоении новых диапазонов длин волн для практического использования необходимы,с одной стороны, развитие технологии производства материалов, обладаю-^ щих оптимальными для конкретного данного применения свойствами,
а с другой стороны - глубокие и всесторонние исследования соответствующих физических явлений и процессов. Разработка устройств дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн вызвала интерес к исследованию физических свойств узкозонных материалов. ,4 в настоящее время известен целый ряд узкозонных материалов.
Например, большие успехи были достигнуты при исследовании и использовании узкозонных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути и свинца ( Сс/,.х Ндх Те, РЬ'-Х, Бпх Те РЬ,^ 5пх Бе), обладающих тем свойством, что ширина запрещенной зоны этих материалов плавно меняется в зависимости от состава компонентов.

В 1959 году Джейн в своей работе [I] показал, что твердый г раствор В1,.г БЬХ в некотором интервале значений X является полупроводником. С этого момента к сплавам висмут-сурьма возник реальный практический интерес. Интерес этот, в частности, обусловлен возможностью создания на основе твердых растворов висмут-сурьма генераторов и широкополосных высокочувствительных приемников дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн, работающих на явлении собственной фотопроводимости.
В настоящее время полупроводниковые лазеры генерируют излу-чение в широком диапазоне длин волн от X = 0,33 мкм (2?л5)
-до 32 мкм {РЬо.ц о.19 ^ [%49] . Возможности продвинуться
50.
I ОБЩАЯ ШИНА „МЕЯ А-60"
□LTJL X ZX77I
■i.
и i:
ФУРЬЕспектрометр
BECKMAN 720-IP
МАГИСТРАЛЬ HAMAH
Рис.2.5. Блок-схема автоматизированной системы дня спектральных исследований: I - источник излучения и схема формирования опорного сигнала; 2 - схема смещения; 3 - усилитель; 4 и 7 - осциллографы;
5 - самописец КСП-4; 6 - цифровой вольтметр Ф-30; 8 - графопостроитель Н-306 ; 9 ДО и II -модули КАМАК МУФ-30, 2ЦАП8 и 2ЦАП10 соответственно; 12 - процессор; 13 - видеотерминал; 14 - АЦПУ; 15 - ОЗУ; 16 - НВД.