Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62

• Автор: Гусейнов, Самир Саиб Оглы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1990
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 134 с.

Сюр.
ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУ ИР ОВОД
НИКОВ ТС Ос Се ^ ^ ТсТп в г (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
§ 1,1. Структура и кристаллохимия полупроводников группы
А5В3Сб2
§ 1.2. Электрофизические и оптические свойства
ТС 1п ^>2 и ТС Сю 5 ^ • .
§ 1.3. Структурные фазовые переходы в кристаллах
ТССсСе^^ 71? Тг? В£> ..*.*
Постановка задачи
Глава II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ СПЕКТРАЛЬНЫХ
И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
§ 2,1. Отражение в длинноволновой ИК области спектра.
Анализ Крамерса-йронигэ
# § 2.2. Методика измерения оптического пропускания
под давлением
§ 2.3. Методика роста кристаллов и изготовление
образцов
§ 2.4. Методика исследования температурной зависимости
диэлектрической проницаемости и спонтанной
поляризации
Глава III. СПЕКТР ОПТИЧЕСКИХ ФОНОНОВ ТС Со 5ег ПРИ
НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
§ 3.1. Длинноволновая ИК-спектроскопия высокого разрешения
в области фазовых переходов и спектры оптического
пропускания в интервале 5-50 см”* в 71? Сю
Полоса остаточных лучей

§ 3.2. Влияние высоких давлений на спектры пропускания и фазовые переходы под давлением в TCCyaSeg
Глава IV. СЕГНЕТ03 ЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
• Т€1п&г
§ 4.1. Диэлектрическая проницаемость
§ 4.2. Спонтанная поляризация в кристаллах
TtIr>Sz
§ 4.3. Температурный гистерезис фазовых переходов
Тг1»$2
§ 4.4. Влияние одноосного сжатия на диэлектрическую
проницаемость TtrZnSg
Основные результаты и выводы
Список литературы

Актуальность темы. Исследование физических свойств сегне-тоэлектриков и фазовых переходов в них представляет одну из фундаментальных задач физики твердого тела. В связи с этим продолжается всестороннее изучение физических свойств еегнетоэлект-риков и фазовых переходов как с целью развития теории еегнето-электричества, так и с точки зрения их практического применения. В последние годы резко возрос интерес к исследованию сег-нетоэлектрических кристаллов, претерпевающих ряд последовательных фазовых переходов, отличающихся по своей природе. Также кристаллы становятся необычайно лабильными при приближении к фазовому переходу и сильно меняют свои свойства под влиянием внешних воздействий. Это открывает широкие возможности их практического использования.
Одним из таких объектов являются, интенсивно исследуемые в последнее время слоистые полупроводники с общей формулой А%^с|, обладающие фазовыми переходами в сегнетоэлектрическое состояние. Обнаружение модулированных фаз в стимулировало комплексные исследования физических свойств и фазовых переходов в 7{Хп$г * ТбОаЬе^ и др. Несмотря на то, что по исследованию физических свойств этих кристаллов опуоликовано большое количество работ, до сих пор нет единого мнения, относительно природы и даже числа фазовых переходов. В имеющейся литературе к моменту начала настоящих исследований отсутствовала информация о последовательности фазовых переходов в Т€1г>$£ » не были детально исследованы спектры колебательных возбуждений в области низких температур и, еоотвеетственн#, оставались неизвестными температурное поведение фононных спектров в области низкотемпературных фазовых переходов. Поэтому
(Штутгарт, ФРГ) в спектральной области 5-50 см“* в геометрии Е М С. Измерены спектры как свежесколотых свободно размещенных на держателе пластинок, так и пластинок, полученных расслаиванием на липкую ленту, прозрачную в заданной области спектра. Различие в спектрах заключалось в том, что в ряде случаев в последних отсутствовала тонкая структура спектров, а спектр выглядел в виде широкой полосы. Соответствие полос однофононным резонансам устанавливалось измерением кристаллов различной толщины и сопоставлением интенсивностей при различных температурах. С понижением температуры все полосы сужались (за исключением самых низкочастотных) смещаясь в область неаколько более высоких частот, и незначительно изменялись по интенсивности. Разрешение спектральной аппаратуры в изученной области спектра было не хуже 0,5 см“*. Значения частот фононов определены с точностью ^0,5 см“*.
На рис.6 приведен спектр пропускания свежесколотой пластинки кристалла Т€толщиной 28 мкм. В таблице 3 приведены частоты низкоэнергетических МОД -0, , ~дг • ~$3 г ПРИ
комнатной температуре. В отличии от работ / 42,63 / мода в Т^б-аве? наблюдалась впервые. Как и в / 42,63 / при понижении температуры кристалла ТС б-а.5ег полоса "Ч =13,5 см“* смещалась в область меньших частот, проявляя признаки сегнето-электрической мягкой моды.
Если предположить, что кристалл обладает пространственной группой симметрии , то с учетом опубликованных ранее данных по длинноволновым фононам, активным в спектрах ИК-отра-жения /23,25-30 / и нашими результатами, представляется возможной наиболее полная интерпретация частот ЙК-активных фононов типа Ви . Так из 12 би, мод, предсказанных теорией симметрии, для Т-С 6-а $е£ удалось наблюдать 8 (4 моды - в /25-30/).