Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Левичев, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения | Гудовских, Александр Сергеевич | 2002 |
| Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах | Сергеев, Ринат Александрович | 2004 |
| Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах | Журавлёв, Максим Николаевич | 2009 |