Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Левичев, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией», автор — Левичев, Сергей Борисович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2004 году. Объем работы: 120 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002770473. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца | Бондоков, Роберт Цветанов | 1999 |
| Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV | Бойко, Владимир Михайлович | 2007 |
| Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия | Потапович, Наталия Станиславовна | 2012 |