Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией

• Автор: Левичев, Сергей Борисович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 120 с. : ил.

Список основных сокращений ц
1. КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУРЫ

НА ОСНОВЕ СаАя/ІнАя (Обзор литературы)
1.1. Общая характеристика ГНС на основе ваАв
1.2. Методы получения ГНС с квантовыми точками
1.3. Методы диагностики энергетического спектра ГНС
1.4. ГНС с комбинированными слоями КЯ/КТ
1.5. ГКТ с тонким покровным слоем
Выводы к главе 1
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Исследованные структуры
2.2. Фотоэлектрическая диагностика ГНС
2.3. Спектроскопия ФЛ
2.4. Атомно-силовая микроскопия
3. ИССЛЕДОВАНИЕ МОРФОЛОГИИ ГНС

3.1. Морфология поверхности ГНС разного типа
3.2. Методика выявления скрытых слоев КЯ и КТ 1пОаАэ селективным травлением
Выводы к главе 3
4. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ ГНС СаАяЯпСаАя С КОМБИНИРОВАННЫМИ СЛОЯМИ КЯ/КТ
4.1. Энергетический спектр КТ в ГНС с комбинированными слоями КТ/КЯ
4.2. Энергетический спектр КЯ в ГНС с комбинированными слоями КЯ/КТ
4.3. Влияние спейсерного слоя на энергетический спектр комбинированных слоев КЯ/КТ

4.1.1. Нелегированные ГНС
4.1.2. Легированные Ві ГНС

Выводы к главе 4

5. УПРАВЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИМ СПЕКТРОМ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ІпАв/СаАя ИЗМЕНЕНИЕМ ТОЛЩИНЫ И СОСТАВА ТОНКОГО ДВОЙНОГО ПОКРОВНОГО СЛОЯ СаАїДпСаАя
5.1. ГКТ без покровного слоя ваАв
5.2. ГКТ с тонким двойным покровным слоем СаАв/ІпСаАз.
Влияние параметров КЯ на Ео(СЯ))
5.3. ГКТ с тонким двойным покровным слоем ОаАвЛпСаАэ.
Влияние толщины внешнего покровного слоя ОаАв на Е0(С)О)
5.4. Влияние селективного химического травления покровного слоя на энергетический спектр ГКТ
Выводы к главе 5

Заключение
Литература
Список публикаций по теме диссертации

кластеров препятствует, в частности, получению качественных вертикальносвязанных массивов КТ.
После нанесения на слой КТ слоя КЯ In0.2Ga0.gAs толщиной 5 нм на АСМ изображениях поверхности комбинированного слоя КЯ/КТ (Рис. 3.4) КТ почти незаметны. В качестве характерной детали рельефа выявляются террасы, хотя о том, что КТ имеются внутри этого слоя, свидетельствовало наличие характерных особенностей на спектрах ФЛ и фоточувствительности этих структур (
глава 4). Это означает, что слой КЯ сглаживает рельеф слоя КТ вдоль террас, т.е. в основном заполняет пространство между КТ, а не покрывает его равномерно. Поверхность покровного слоя ваАя толщиной ~ 15 нм была уже вполне гладкой.
На поверхности слоя одиночной КЯ видны только террасы с неровностями порядка 1 нм (рис. 3.5).
1000
Рис. 3. 4. АСМ изображение поверхности слоя КЯ/КТ. Параметры КЯ: х=0.2, Ь=5 нм.