Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Левичев, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров | Зиминов, Виктор Михайлович | 2014 |
| Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование) | Големшток, Григорий Михайлович | 1984 |
| Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se | Ибрагимов, Нураддин Азиз оглы | 1985 |