Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Левичев, Сергей Борисович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария | Шаренкова, Наталия Викторовна | 2009 |
| Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности | Зайцев-Зотов, Сергей Владимирович | 1999 |
| Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы | Урбонавичюс, Вайдотас Владович | 1985 |