Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Автор:
Бойко, Владимир Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
179 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV», автор — Бойко, Владимир Михайлович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Обнинск в 2007 году. Объем работы: 179 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003357974. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Коммуникативные стратегии и тактики в медиажанре литературной рецензии (на материале "Литературной газеты") | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |
| Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs | Кудряшов, Игорь Вениаминович | 2000 |
| Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала | Карташова, Анна Петровна | 2010 |