Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Автор:
Бойко, Владимир Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Обнинск
- Количество страниц:
179 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP | Абрамкин, Демид Суад | 2012 |
| Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля | Келбиханов, Руслан Келбиханович | 2008 |
| Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм | Лившиц, Даниил Александрович | 2000 |