Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур

• Автор: Принц, Виктор Яковлевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 368 с. : ил.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия
МЬ молекулярный монослой
ВРЭМ высокоразрешающая электронная микроскопия
СВЧ сверх высокие частоты
Л-Б пленка Легмюра-Блоджетт
СЭМ сканирующая электронная микроскопия
СС-ЭЬТБ метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в
режиме постоянной емкости ПТШ полевой транзистор с барьером Шоттки
ОПЗ область пространственного заряда
НЕМТ транзистор с высокой электронной подвижностью
ГУ глубокий уровень
ОЬТБ метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней
МДП - структуры структуры металл-диэлектрик-проводник
РСГУ релаксационная спектроскопия глубоких уровней
ИС интегральная схема
КНИ структуры кремний-на-изоляторе
МС многослойная структура
ЭОУ эффект обратного управления
АГП арсенид галлиевой
МЛПТ модулировано легированный полевой транзистор

МУ микроволновое излучение (СВЧ)
пт полевой транзистор
ВАХ вольт амперные характеристики
0 диаметр трубки
дэг двумерный электронный газ
С-У емкость - напряжение
ЖФЭ жидкофазная эпитаксия
ВМФ безызлучательный многофононный захват
Й2 толщина слоев тонкой пленки
А а/а несоответствие параметров решетки
Е модуль Юнга материала
Ь толщина пленки
о механические напряжения в пленке
С величина отклонения пленки от подложки
X- функция напряжений
V коэффициент Пуассона.
С смещение поверхности слоя
'з/яЛ! гидростатический деформационный потенциал
АЕТ энергия ионизации
Уп коэффициент захвата электронов глубоким центром
п концентрация свободных электронов
Ит+ концентрация незаполненных глубоких уровней
концентрация глубоких центров,
плотность состояний в зоне проводимости
плотность состояний в валентной зоне
коэффициент захвата дырок глубокими центрами
концентрация свободных дырок
интенсивность процессов эмиссии
время релаксации
круговая частота СВЧ
подвижность носителей заряда
край области обеднения
толщина проводящего слоя
конфигурационная координата
электронная энергия
масса атомов
энергия возбуждения
ширина запрещенной зоны
тепловая скорость электронов
константа деформационного потенциала
деформация

изготовление нанотрубок. Для освобождения от связи с подложкой пленок А3В5 нами применялся целый ряд травителей, но наиболее часто использовались правители на основе плавиковой кислоты, с селективностью травления слоя А1Аз по отношению к СаАэ ~109. Для случая Се81/81 структур часто используемым был травитель 3,7% КН40Н. В работах [44, 45] впервые предложен и реализован способ
высокоселективного удаления жертвенных А1Аэ слоев в сверхкритическом С02 с добавлением чрезвычайно малого количества ДО с концентрацией до 0,01%. Селективность сверхкритического травления не уступала селективности жидкостного травления в водных растворах ДО.
б) Методы направленного сворачивания, формирование самых разнообразных по форме структур; метод сборки из оболочек сложных конструкций
Суть проблемы. С помощью литографии на поверхности исходной пленки могут быть сформированы мезоструктуры, травлением окружающих областей, на глубину до жертвенного слоя. Последующее селективное удаление жертвенного слоя в таких структурах начинается одновременно со всех сторон. Освобождаемая напряженная пленка при этом также начинает сворачиваться со всех сторон. 33а рис.
1.9. хорошо видно, что процесс сворачивания носит случайный характер и может приводить как к формированию трубок, так и к другим, не прогнозируемым образованиям. Для создания контролируемой технологии необходимо было разработать методы направленного сворачивания. Нами были разработаны семь методов направленного сворачивания пленок [17, 19, 22, 31, 41, 52]. Простейшие из них иллюстрируются на рис 1.10-1.12. На рис. 1.10. границы сворачиваемой пленки заданы с помощью литографии и перфорированы, линия АВ сплошная