Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах

• Автор: Григорьев, Леонид Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 175 с. : ил.

СОДЕРЖАНИИ
Введение
Глава1 Элементарная теория электрофизических процессов
протекающих в оксидокремниевых композитах
§1.1 Распределение электрических полей в неупорядоченном,
неоднородном композиционном материала со случайными дефектами
§ 1.2. Элементарная теория токов термостимулироваиной проводимости и термостимулированной деполяризации в высокоомных
неупорядоченных материалах
§1.3 Элементарная теория прыжкового транспорта в оксидокремниевом
композите
§1.4 Элементарная теория туннельного переноса носителей заряда в
гетерогенных системах
§1.5 Элементарная теория переходных инжекционных токов в твердом теле
§1.6 Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом
Выводы к главе
Глава 2 Разработка новых методик численной обработки данных
термоактивационной токовой спектроскопии
§2.1 .Численное восстановление энергетического спектра по кривой
термостимулированного тока, измеренного в режиме произвольной скорости нагревания
§ 2.2. Численное восстановление функции распределения электрически
активных дефектов по частотному фактору
§2.3. Исследование устойчивости численного восстановления
энергетического спектра по кривой термоактивационного тока
§2.3. Гибридный способ восстановления двумерной кривой функции
распределения по энергии активации и по частотному фактору
Выводы к главе
Глава 3 Описание технологии приготовления образцов и экспериментальных установок для исследования токопереноса в
оксидокремниевом композите
§3.1 Технология приготовления образцов окисленного пористого кремния
§3.2 Технология приготовления образцов окисленного
микропорошка кремния
§3.3 Установка для исследования статических ВАХ в высокоомном
композите
§3.4 Установка для исследования термостимулированных процессов
в оксидокремниевом композите
§3.5 Установка для исследования переходных инжекционных
токов в оксидокремниевом композите
Выводы к главе
Глава 4 Исследование структурных и транспортных свойств
термически окисленного нанопористого кремния
§4.1 Токи термостимулированной проводимости термически окисленного
нанопористого кремния
§4.2 Исследование стационарных ВАХ
§4.3 Переходные токи в термически окисленном нанопористом кремнии
§4.4 Обсуждение природы дефектов и модель переноса носителей заряда
в термически окисленном пористом кремнии
Выводы к главе
Г лава 5 Исследование структурных и транспортных свойств
термически окисленного мезапористого кремния
§5.1 Структура термически окисленного мезапористого кремния
§5.2 Токи термостимулированной проводимости термически
окисленного мезапористого кремния
§5.3 Исследование стационарных ВАХ
§5.4 Переходные токи в термически окисленном мезапористом кремнии
§5.5 Обсуждение природы дефектов и модель переноса носителей заряда
в термически окисленном мезапористом кремнии
Выводы к главе
Глава 6 Исследование структурных и транспортных свойств термически
окисленного микропорошка кремния
§6.1 Структура термически окисленного микропорошка кремния
§6.2 Токи термостимулированной проводимости термически окисленной
микропорошко вой кремниевой композиции
§6.3 Исследование стационарных ВАХ
§6.4 Переходные токи в термически окисленной микропорошковой
кремниевой композиции
§6.5 Обсуждение природы дефектов и модель переноса носителей заряда
в термически окисленном микронорошке кремния
Выводы к главе
Основные результаты и выводы диссертации
Литература

§1.6 Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным
зарядом.
Структура металл-диэлектрик-металл с ловушками в условиях протекания постоянного тока.
Если в диэлектрике присутствуют ловушки для носителей тока, то получить решение в аналитическом виде точной постановке задачи не удается, поэтому сделаем следующие предположения:
• Будем пренебрегать диффузионной компонентой полного тока.
• Ловушки в диэлектрике распределены с постоянной плотностью в пространстве, но могут иметь произвольное распределение по энергии в запрещенной зоне.
• Около поверхности инжектирующего электрода образуется виртуальный катод. Для определенности инжектируются в диэлектрик электроны.
Наиболее полный подход к решению этой задачи развит в работе [18]. При сделанных предположениях система уравнений, описывающих поведение диэлектрического диода с ловушками, имеет вид:
Где: n , nt - концентрации свободных и локализованных на ловушках электронов.
Таким образом, вольтамперная характеристика может быть представлена в виде:
j = q/mE
(1.88)
Е(0)

JEdx

j = q/m(L)E(L)
(1.89)
Согласно[19]
£(!) = -— 1<а<2 L
(1.90)
(1.91 )