Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
- Автор:
Заварин, Евгений Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
184 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнетотранспортные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах | Горан, Андрей Васильевич | 2005 |
| Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств | Солдатенков, Федор Юрьевич | 2001 |
| Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x | Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна | 2003 |