Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
- Автор:
Заварин, Евгений Евгеньевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
184 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN | Копьев, Виктор Васильевич | 2019 |
| Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями | Хабаров, Юрий Васильевич | 2007 |
| Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями | Баталов, Рафаэль Ильясович | 2004 |