Оптические и фотогальванические эффекты в объемных полупроводниках и двумерных структурах
- Автор:
Шалыгин, Вадим Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
294 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия | Чигинева, Анна Борисовна | 2004 |
| Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN) | Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович | 2007 |
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов, Дмитрий Сергеевич | 2017 |