Оптические и фотогальванические эффекты в объемных полупроводниках и двумерных структурах
- Автор:
Шалыгин, Вадим Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
294 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Оптические и фотогальванические эффекты в объемных полупроводниках и двумерных структурах», автор — Шалыгин, Вадим Александрович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 294 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007942639. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия | Светухина, Ольга Сергеевна | 2004 |
| Исследование магнитных явлений в легированных полупроводниках | Андрианов, Дмитрий Глебович | 1983 |
| Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs | Ардышев, Михаил Вячеславович | 2000 |