Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля

• Автор: Келбиханов, Руслан Келбиханович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 147 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ
ПЛЕНОК ТЕЛЛУРА И ИХ СВОЙСТВА
1.1 .Рост и структура пленок теллура
1.2.Электрофизические свойства и термо-эдс пленок теллура
1.3.Влияние примесей на свойства пленок теллура
1 АВлияние электрического и электромагнитного полей на процессы
конденсации
Выводы
Глава 2. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК
2.1.Методы получения пленок теллура
2.1.1.“Квазизамкнутый метод” получения пленок теллура в вакууме
2.1.2.Метод получения пленок в электрическом поле
2.2.Условия реализации методов получения пленок
2.3.Методы оценки параметров и исследование осаждаемых слоев
пленок теллура
2.4.Методика получения пленок теллура и измерений их свойств
2.4.1.Методика проведения эксперимента
2.4.2.Измерение электрофизических свойств пленок теллура
2.4.3.Исследование диэлектрических свойств пленок теллура
2.4.4.Измерение эффекта ноля и термо-эдс пленок теллура
Выводы

ГЛАВА 3. ВЫРАЩИВАНИЕ СОВЕРШЕННЫХ ПЛЕНОК
ТЕЛЛУРА “КВАЗИЗАМКНУТЫМ МЕТОДОМ”
3.1 .Особенности роста пленок теллура, конденсированных
“квазизамкнутым методом”
3.1.1.Морфологические особенности роста пленок теллура
3.1.2.3ависимость скорости роста и электрофизических свойств
пленок теллура от условий получения
3.1.3.Изменение электрофизических параметров пленок теллура в процессе длительного хранения на воздухе
при комнатной температуре
3.2.0пределение оптимальных условий получения пленок теллура
совершенной структуры
Выводы
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ
В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
4.1 .Влияние электрического поля и температуры подложки
на рост и электрофизические свойства пленок теллура
4.2.Температурная зависимость электрофизических свойств
пленок теллура, полученных при комнатной температуре
4.3.Термо-эдс пленок теллура, выращенных в электрических полях
4.4.Диэлектрическое поведение пленок теллура, выращенных
в электрических полях
4.5.Эффект поля в пленках теллура, выращенных
в электрических полях
4.6.0собенности роста пленок теллура в электрических полях
Выводы
Основные выводы по работе
Библиографический список использованной литературы

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы. Разработка и получение полупроводниковых тонкопленочных материалов с заданными структурой и свойствами - одна из важнейших проблем современной физики и техники полупроводников. Поэтому большой научный интерес представляет получение монокристал-лических пленок теллура и исследование их свойств. Тонкие пленки широко используются в микроэлектронике и в других областях новой техники. Их отличительной особенностью является конечность толщины, которая может играть решающую роль во многих физических процессах. По своей структуре и свойствам тонкие пленки отличаются от массивных образцов. На рост тонких пленок большое влияние оказывают как технология нанесения, так и материал и структура подложки.
Теллур известен как полупроводниковый материал с узкой запрещенной зоной и привлекает к себе внимание особой чувствительностью к механическим и электрическим воздействиям. Интерес к этому материалу связан с тем, что он, в отличие от широко используемых в электронной технике полупроводников германия и кремния, анизотропен, а проводимость его исключительно /7-типа.
Работы по совершенствованию технологии получения достаточно однородных монокристаллов теллура, а также бинарных и тройных его соединений на его основе направлены на решение проблемы создания высокоэффективных фотодиодов, инфракрасных фильтров, лазеров и /7-ветвей высокочувствительных пленочных термобатарей. Высокая фоточувствительность теллура к излучению в инфракрасной области спектра определяет практическую значимость теллура и соединений на его основе и создание приемников /'-/Л'-излучсния и фотосопротивлений. Кроме того, в перспективе эти материалы могут быть использованы для разработки высокоэффективных генераторов Ганна.

Основные задачи, стоявшие перед настоящей работой, сводились к следующему:
1. Получить пленки Те методом термического испарения в “квазизамк-нутом объеме” на подложках известной природы и структуры при контроле времени напыления в пределах ± 1 с. Установить возможность получения пленок теллура монокристаллической структуры.
2. Осуществить контролируемый метод термического напыления теллура при воздействии электрического поля на растущий слой и без него. Установить величину критического поля, оказывающего эффективное влияние на совершенство структуры и свойства пленок теллура, получаемых в соответствующих технологических условиях.
3. В зависимости от природы, ориентации структуры, температуры, величины остаточных газов в системе, а также наличия и отсутствия электрического поля изучить структуру полученных пленок теллура и исследовать их электрофизические свойства с целью установления механизма влияния поля на процесс роста пленок.