Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот

• Автор: Курганская, Любовь Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Самара
• Количество страниц: 122 с. : ил.

Содержание

Введение
Глава 1. Процессы формирования структур и БЮ на изолирующих
подложках
1.1 Сублимационная эпитаксия
1.2 Г азофазная эпитаксия
1.3 Эндотаксия
1.4 Термическое испарение материала пленки в вакууме
1.5 Ионно-плазменное распыление
1.6 Катодное распыление
1.7 Магнетронное распыление
Глава 2. Кинетические явления в полупроводниках на сверхвысоких
частотах
2.1 Высокочастотный эффект Холла
2.2 Понятие магниторезистивного явления в полупроводниках
2.2.1 Эффект магнетосопротивления (Гаусса)
2.2.2 Магниторезистивный эффект на СВЧ
2.2.3 Методы исследования магниторезистивных свойств в
полупроводниках
2.2.4 Методы исследования магниторезистивного эффекта на СВЧ
2.3 Инерционные явления в полупроводниках на сверхвысоких частотах
2.3.1 Механизм проявления инерции электронного газа
2.3.2 Явление инерции в гальваномагнитных эффектах
2.4 Термоэдс “горячих” носителей тока в полупроводниках
2.5 Радиоэлектрический эффект
Глава 3. Преобразователи СВЧ мощности на основе гетероструктур п-
81С/р-81 и п-ЭКЗ на изолирующих подложках
3.1. Контролируемые параметры материала для преобразователей сверхвысоких частот
3.2 Преобразователи п-81С/р-81 и п-ЭЮ на изолирующих подложках, полученные методом магнетронного напыления для исследования на сверхвысоких частотах
3.2.1 Получение гетероструктур п-ЗС-8Ю на кремниевых и изолирующих подложках
3.2.3 Технология получения преобразователей СВЧ мощности на основе гетероструктур п 81С/р-81 и п 81С/изолятор
3.2.4 Измерение ВАХ гетероструктур 81С/81, поликор, ситал
3.3 Преобразователи п-81С/р-81 и п-БЮ на изолирующих подложках для
исследования магнетосопротивления
3.3.1 Исследование свойств гетероструктур п-81С/р-81 и п-81С на изолирующих подложках
Глава 4. Электрофизические свойства и исследование в СВЧ дипазоне преобразователей на основе гетероструктур п-81С/р-81 и п-ЯЮ на изолирующих подложках
4.1 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах
карбида кремния в 3-х см диапазоне длины волны
4.2 Исследование радиоэлектрического эффекта в гетероструктурах
карбида кремния в 8 мм диапазоне длины волны
4.3 Исследование радиоЭДС в области температур от +20° С до +300° С
4.4 Определение коэффициента стоячей волны и оценка влияния
термоЭДС
4.5 Явление инерционности носителей заряда в электромагнитном поле СВЧ волны
4.6 Исследование магниторезистивного эффекта на постоянном токе
4.7 Исследование магниторезистивного эффекта на СВЧ
Заключение
Список основных работ автора диссертации Список использованных источников
2.1 Высокочастотный эффект Холла

Эффект Холла заключается в том, что в проводнике с током, помещенном в магнитное поле, появляются электродвижущие силы и, как следствие, возникает дополнительное электрическое поле. Более подробно данный эффект рассмотрен в работе [46].
Одним из методов описания гальваномагнитных явлений в переменных электромагнитных полях является метод, основанный на движении так называемого «среднего электрона» [47]. Этот метод дает качественное объяснение физических явлений, происходящих в полупроводниках, находящихся в переменном электромагнитном поле.
Согласно этому методу электроны проводимости; которым приписывается изотропная эффективная; масса т*, считаются полностью свободными в пространстве, ограниченном поверхностью образца.
Уравнение движения для средней скорости электронов (как квазичастиц с импульсом р = Нк = т*у) имеет вид
_ йг „
Здесь V = —, тэфф - время релаксации носителей заряда.
Решение этого уравнения в случае неоднородных в пространстве и переменных во времени полей является трудной задачей. Анализ применимости метода «среднего электрона» дан в работе [48]. При определенных допущениях задача существенно упрощается.
Для достаточно-малых электрических полей таких, что можно пренебречь связанными с ними нелинейными эффектами, коэффициент Холла выражается следующим образом: