Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью

• Автор: Шмидт, Наталия Михайловна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 267 с. : ил.

Оглавление
Введение
Глава 1. Предпосылки для развития новых представлений о свойствах полупроводниковых слоев, многослойных гетероструктур и приборных структур, выращенных в режимах самоорганизации, а также методов диагностики,
выявляющих характер организации наноматериала
Заключение к главе
Г лава 2. Адаптация методов мультифрактального анализа для количественной характеризации форм организации наноматериала полупроводниковых слоев, гетероструктур и приборных структур, выращенных в режимах
самоорганизации
2.1. Методы, развитые в современном материаловедении для характеризации свойств металлов и сплавов
2.1.1. Регулярные фракталы и их использование для параметризации структур материалов
2.1.2. Мультифрактальная параметризация структуры материалов
2.1.3. Стандартная интерпретация мультифрактального формализма
(краткое изложение)
2.2. Методика мультифрактальной параметризации структур и адаптация для характеризации организации наноматериала полупроводниковых
слоев и гетероструктур, полученных в условиях самоорганизации
Заключение к главе
ГЛАВА 3. Изучение слоев нитрида галлия, классифицированных по уровню самоорганизации и степени упорядоченности наноматериала, и верификация концепции нелинейных систем
3.1. Проявление свойств нелинейных систем в структурных особенностях слоев нитрида галлия
3.2. Диффузионная длина и механизм транспорта носителей заряда в слоях нитрида галлия, классифицированных по значениям мультифрактальных параметров
3.3. Низкочастотный шум в слоях нитрида галлия с разным характером организации наноматериала
3.4. Исследование барьеров Шоттки и фотоприемников на их основе, полученных на слоях нитрида галлия, с разным характером организации
наноматериала
Заключение к главе 3 . Верификация применимости концепции нелинейных
систем к слоям нитрида галлия
Глава 4. Проявление свойств нелинейных систем в процессах излучательной и безызлучатсльной рекомбинации , а также в деградации светоизлучающих структур на основе InGaN/GaN
4.1. Задачи и проблемы физики и технологии светоизлучающих структур на основе InGaN/GaN. Исторический обзор
4.2. Особенности транспорта носителей и безызлучательной рекомбинации в светодиодах на основе MQW InGaN/GaN, классифицированных по характеру организации наноматериала
4.3. Проявление свойств нелинейных систем в особенностях излучательной рекомбинации
4.3.1. Взаимосвязь значений внешней квантовой эффективности с характером организации наноматериала
4.3.2. Особенности спектров электролюминесценции СД в диапазоне температур 50-400К
4.3.3. Эффект падения ВКЭ в СД на основе MQW InGaN/GaN

4.3.4. Возможный вклад Оже-рекомбинации в падение ВКЭ СД
4.4. Основные закономерности деградации внешней квантовой эффективности светоизлучающих структур с разным характером
организации наномагериала
Заключение к главе
Глава 5. Кооперативные явления в многослойных гетероструктурах ЛЮаАв/СаЛв, 1пСаА8/СаЛ$ с квантовыми точками 1пь и lGaAs/ 1пСаА8/СаАь с псевдоморфным каналом. Вклад этих явлений в особенности организации наноматернала, а также в электрические и
оптические свойства многослойных гетероструктур
5.1. Взаимосвязь мультифрактальных параметров с режимами формирования многослойных гетероетруктур
5.2. Релаксация напряжений в многослойных гетероструктурах
5.3. Кооперативные явления в системе матрица-квантовые точки 1пАь
Заключение к главе
Основные результаты
Заключение
Список публикаций по теме диссертации
Литература

• ' "в.

■о о о» О

'к .*

1п /,
111/Г,

1п /•
Рис.2.3. Связь мультифрактальной информации /(#) со спектрами обобщенных размерностей Реньи.