Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
- Автор:
Лебедев, Андрей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
366 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния | Золотов, Андрей Викторович | 2007 |
| Энергетическая структура макромолекул и наноструктур | Петрушко, Максим Игоревич | 2003 |
| Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках | Лавров, Эдуард Владимирович | 2004 |