Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
- Автор:
Лебедев, Андрей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
366 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ», автор — Лебедев, Андрей Олегович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2013 году. Объем работы: 366 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005095771. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te | Дьяков, Сергей Николаевич | 2000 |
| Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия | Калюжный, Николай Александрович | 2011 |
| Вероятностные модели кратковременной электрической прочности и токов утечки случайно-неоднородных конденсаторных диэлектриков | Красильщиков, Борис Романович | 1984 |