Рост и дефектообразование кристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
- Автор:
Лебедев, Андрей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
366 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена | Черняев, Антон Валентинович | 2005 |
| Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников | Мишустин, Владислав Геннадьевич | 2008 |
| Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4 | Райлян, Валентин Яковлевич | 1984 |