Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Автор:
Чалдышев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
51 с.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария | Соловьев, Сергей Михайлович | 2007 |
| Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений | Ковш, Алексей Русланович | 1998 |
| Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV | Бойко, Владимир Михайлович | 2007 |