Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Автор:
Чалдышев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
51 с.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах | Кукоев, Игорь Юрьевич | 2005 |
| Адсорбция фуллеренов C60 на поверхностные реконструкции систем Au/Si(111), In/Si(111) | Матецкий, Андрей Владимирович | 2012 |
| Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия | Чигинева, Анна Борисовна | 2004 |