Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Автор:
Чалдышев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
51 с.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров», автор — Чалдышев, Владимир Викторович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 1999 году. Объем работы: 51 с.; 20х15 см. Внутренний код товара: 01000220993. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания | Ивкин, Андрей Николаевич | 1998 |
| Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами | Каменская, Ирина Валентиновна | 2007 |
| К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением | Курочкин, Николай Евгеньевич | 1998 |