Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров
- Автор:
Чалдышев, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
51 с.; 20х15 см
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния | Плюснин, Николай Иннокентьевич | 2000 |
| Особенности формирования и физические свойства наноразмерных структур на основе висмута | Хрипунов, Юрий Вадимович | 2012 |
| Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец | Ковалёв, Вадим Михайлович | 2007 |