Ядерный магнитный резонанс в оксидах с сильными электрон-электронными корреляциями

• Автор: Михалев, Константин Николаевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 301 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
Список сокращений
Введение
1. Структура и физические свойства высокотемпературных сверхпроводников
1.1. Кристаллическая структура ВТСП соединений
1.2. Фазовые диаграммы высокотемпературных сверхпроводников
1.3. Зависимость температуры перехода от концентрации дырок в высокотемпературных сверхпроводниках и особенности зарядового распределения в медных слоях
1.4. Спиновая восприимчивость в ВТСП - оксидах
1.5. Особенности дальнего магнитного порядка в исходных оксидах.
1.6. Современные теоретические представления о высокотемпературной сверхпроводимости
Выводы к главе
2. Особенности структуры и физических свойств манганитов
2.1. Кристаллическая структура
2.2. Магнитные свойства
2.3. Ядерный магнитный резонанс в манганитах
2.4. Основные теоретические модели
2.4.1. Модель двойного обмена
2.4.2. Фазовое расслоение
2.4.3. Поляронная модель
Выводы к главе
3. Особенности метода ЯМР при исследовании сильно-коррелированных оксидов
3.1. Импульсный спектрометр ЯМР
3.2. Методы регистрации спектров и времен релаксации 63Ть бзТ2
3.3. Анализ формы линии ЯМР

3.4. Измерение магнитной восприимчивости
3.5.Образцы
Выводы к главе
4. ЯМР в дырочно-допированных ВТСП
4.1. ЯМР, 205Т1 в высокотемпературных сверхпроводниках Т12Ва2СапСи11+1 Об+2п- Синглетный тип спаривания, роль дефектов замещения
4.1.1. Спектры ЯМР 205Т1 в Т12Ва2СапСип+10б+2п
4.1.2. Сдвиги линий ЯМР 205Т1
4.1.3. Определение спинового вклада для сверхпроводников II

4.1.4. Определение вкладов в сдвиг ЯМР для основной позиции таллия
4.1.5. Температурная зависимость сдвига ЯМР таллия в дефектных позициях
4.2. ЯМР 63Си в Т12Ва2СапСип+1 Об+2п- Особенности спиновой восприимчивости неэквивалентных медных плоскостей
4.2.1. Спектры ЯМР б3Си...//
4.2.2. Ядерный квадрупольный резонанс (ЯКР) на атомах меди в соединениях Т12Ва2СапСип+1 06+2п (п =0,1,2)
4.2.3. Температурная зависимость сдвигов линий ЯМР б3Си в таллиевых купратах
4.3. Спектры ЯМР пО в таллиевых купратах и температурная зависимость сдвига
4.3.1. Спектры ЯМР пО
4.3.2. Температурная зависимость компонент тензора сдвига ЯМРпО и сверхтонкие взаимодействия
4.4. Спин-сгшновая и спин-решеточная релаксация в таллиевых купратах и низкочастотная спиновая динамика
4.4.1. Спин-решеточная и спин-спиновая релаксация на ядрах

4.4.2. Спин-решеточная релаксация на ядрах |
4.4.3. Параметры антиферромагнитных спиновых флуктуаций в ТЪ2
4.4.3.1. Передогшрованный состав Т12212 (Тс =104 К)
4.4.3.2. Слабодопированный (Тс =102 К) и оптимально-допированный ( Тс =112 К) составы Т12
4.5. Изучение особенностей зарядовой динамики в К1.хВахВЮ3 по
данным ЯМР 39К
Выводы к главе
5. Особенности электронной структуры и спиновой динамики бесконечно-слойных электронно-допированных сверхпроводников и исходных антиферромагнетиков по данным ЯМР 63,6эСи
5.1. Магнитная восприимчивость и спектры ЯМР 63Си, б5Си в 8гСи02 в локальном поле
5.2. Поведение скоростей спин-спиновой и спин-решеточной релаксации на ядрах меди в 8гСи02 и особенности спиновой динамики
5.3. Температурная зависимость спиновой восприимчивости в бесконечно-слойных электронно- допированных сверхпроводниках по данным ЯМР б3Си
5.4. Фазовое расслоение в недодопированном бесконечно-слойном сверхпроводнике 8г0.9зЬао.о7Си
Выводы к главе
6. Фазовое расслоение и спиновая динамика в манганитах
6.1. Статическая магнитная восприимчивость в слабо-допированных манганитах
6.2. Спектры ЯМР 55Мп, полученные в локальном поле
6.3. Спектры 55Мп в манганитах Ьах8г1.хМп
6.4. Фазовое расслоение в электронно-допированных манганитах Ра1.хСехМп03 по данным ЯМР 55Мп

намагниченности и геометрии магнитных подрешеток (упругое рассеяние нейтронов), так и о спектре спиновых возбуждений в упорядоченном состоянии (неупругое рассеяние нейтронов).
В результате целой серии работ по изучению упорядоченного состояния исходных оксидов методом дифракции нейтронов в 90 х годах [33, 41-45, 80-83] были получены детальные данные о типе дальнего магнитного порядка для ряда основных исходных оксидов. На рис. 1.9 представлена температурная зависимость подрешеточной намагниченности для соединения Ьа2Си04.
ІДдСиО^
Рис. 1.9. Температурная зависимость подрешеточной
намагниченности для орторомбического Ьа2Си04 [42]. Пунктирная линия-расчет в длинно-волновом приближении, непрерывная линия - расчет в бозонной теории среднего поля Швингера.