Магнитная фазовая диаграмма высокотемпературных сверхпроводников

• Автор: Ельцев, Юрий Федорович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 209 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1.
Образцы и методика измерений.
1.1. Вводные замечания.
1.2. Соединение УВа2Си307_5.
1.3. Соединение В128г2СаСи208+5.
1.4. Соединения В128г2Са2Си3О10+8 и (В1,РЬ)28г2Са2СизО10+8.
1.5. Соединение 1У^В2.
1.6. Методика низкотемпературных измерений магнетотранспортных свойств образцов ВТСП.
ГЛАВА 2.
Корреляция движения вихрей в смешанном состоянии купратных ВТСП в магнитном поле, приложенном параллельно оси с.
2.1. Вводные замечания.
2.2. Исследование продольной корреляции вихрей в
жидком вихревом состоянии кристаллов УВа2Си307_5.
2.3. Применимость локальной электродинамики к описанию транспортных свойств кристаллов УВа2Си307_8 и В128г2СаСи208+5 в жидком вихревом состоянии.
2.4. Исследование поперечной корреляции вихрей в
кристаллах Вь8г2СаСи208(5 в геометрии диска Корбино.
2.5. Выводы.

ГЛАВА 3.
Плавление вихревой системы в купратных ВТСП с различной
степенью анизотропии в магнитных полях // оси с.
3.1. Вводные замечания.
3.2. Линия плавления вихревого стекла в кристаллах УВа2Сиз07_6 с различным содержанием кислорода.
3.3. Свойства жидкого вихревого состояния в чистых и легированных свинцом высококачественных кристаллах В128г2Са2СизОкн
3.4. Выводы.
ГЛАВА 4.
Динамика вихревой системы УВагСизО.^ в магнитном поле
параллельно слоям Си02.
4.1. Вводные замечания.
4.2. Динамика вихревой системы в кристаллах УВа2СизО? 5 с оптимальным содержанием кислорода.
4.3. Переход вихревой системы из твердого состояния в жидкое в кристаллах УВа2Си307.5 с различным содержанием кислорода.
4.4. Эффект Холла в монокристаллах УВа2Сиз07.5 с магнитным полем в плоскости аЬ и транспортным током, направленным параллельно оси с.
4.5. Выводы.
ГЛАВА 5.
Анизотропные свойства кристаллов УВа2Сиз07^ с примесями
Ге и Zn.
5.1. Вводные замечания.
5.2. Анизотропия глубины проникновения в кристаллах УВа2(Си1_хМх)з07-5 (М=Ре, Хг) из измерений
магнетотранспортных свойств в жидком вихревом
состоянии в геометрии Н//1//с.
5.3. Анизотропия длины когерентности в кристаллах УВа2(Си1.хМх)з07.5 (M=Fe, Zn) из измерений флуктуаций проводимости в геометрии Н//1//с.
5.4. Выводы.
ГЛАВА 6.
Анизотропные свойства и магнитная фазовая диаграмма кристаллов MgB2
6.1. Вводные замечания.
6.2. Анизотропия электросопротивления монокристаллов MgB
в нормальном состоянии.
6.3. Анизотропный эффект Холла в монокристаллах MgB2 в нормальном состоянии.
6.4. Анизотропия верхнего критического поля кристаллов
MgB2.
6.5. Магнитная фазовая диаграмма кристаллов MgB2.
6.6. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК АВТОРСКОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
СПИСОК ЦИТИРОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1.5. Соединение MgB
Вследствие термической нестабильности диборида магния рост монокристаллов данного вещества при нормальном давлении невозможен. В случае термообработки в запаянных кварцевых ампулах или герметичных металлических (Та, Nb, Мо) трубках диапазон используемых температур ограничен, вследствие чего размер полученных монокристаллов не превышает несколько десятков микрон. Кроме того, неизбежным является их загрязнение материалом контейнера.
Использование техники высоких давлений позволяет избежать испарения магния из реагирующей смеси и, тем самым, подавить распад фазы MgB2. Для роста кристаллов, использовавшихся в данной работе, был применен метод роста монокристаллов MgB2 из квази-тройной системы Mg-MgB2-BN при давлениях 4-^6 ГПа и температурах 1400+1700°С в течение 5^60 мин. Среднее весовое соотношение исходных компонентов составляло Mg:MgB2:BN 1:3:15. Рост монокристаллов осуществлялся в тиглях из нитрида бора с использованием аппаратуры высокого давления TRY Engineering.
На рис. 1.16 показана полученная на растровом электронном микроскопе фотография нескольких кристаллов MgB2, выращенных в различных процессах и механически извлеченных из тигля. Типичный размер кристаллов не превышает 0.5мм.
На рис. 1.17 представлена рентгенограмма одного из кристаллов MgB2, на которой видны только резкие пики, соответствующие плоскостям (001). На вставке на этом рисунке показаны профили линии (002) для трех кристаллов. Полуширина максимума составляет величину порядка 0.1°, что существенно меньше типичной полуширины для порошковых поликристаллических образцов. Полуширина линии (002) для лучшего образца (сплошная линия на