Использование методов ЭПР для исследования и диагностики материалов, перспективных для применений в квантовой электронике

• Автор: Крамущенко, Дарья Дмитриевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 113 с. : ил.

Введение
Содержание

Г лава 1. Обзор литературы
1.1 Тиогаллат свинца РЬОа
1.2 Иттрий-алюминиевый гранат УзА^Оп
1.3 Селенид цинка 2п8е
Глава 2. Методика эксперимента
2.1 Технология изготовления образцов
2.2 Экспериментальная техника
Глава 3. Экспериментальные результаты и их обсуждение. Тиогаллат свинца
3.1 РЬОа284:Иу3+
3.2 РЬСа284:Се3+
Глава 4. Экспериментальные результаты и их обсуждение. Иттрий-
алюминиевый гранат Т3А15
Глава 5. Экспериментальные результаты и их обсуждение. Селенид цинка
5.1 Оптическое пропускание
5.2 Исследования методом ЭПР
5.2.1 Кристаллы 2п8е, легированные хромом методом диффузии
5.2.2 Кристаллы 2п8е, легированные кобальтом

5.2.3 Кристаллы 2пБе, легированные железом в процессе диффузии
5.2.4 Легирование кристаллов гпБе эрбием путем диффузии
Заключение
Список литературы
Список публикаций автора по теме диссертации

Введение.
Актуальность темы.
На современном этапе научно-технического прогресса развитие физики конденсированного состояния характеризуется поиском новых высокотехнологичных материалов для квантовой электроники. Это разработка лазерных кристаллов, включающая синтез высококачественных многокомпонентных лазерных и нелинейных кристаллов, поиск новых материалов для создания перестраиваемых лазеров в инфракрасном диапазоне, получение быстродействующих и эффективных сцинтилляторов в области рентгеновского и гамма-излучений. В связи с дальнейшим развитием квантовой электроники резко возросла потребность в новых соединениях обладающих строго определенными как оптическими, так и физико-химическими свойствами. Важнейшие из этих свойств, такие как поглощение и люминесценция, определяются характером электронных переходов в оптических центрах. Оптические центры представляют собой собственные или примесные дефекты кристалла и их характеристики во многом определяются свойствами первой координационной сферы в решетке кристалла. Понимание свойств оптических и парамагнитных центров является базой для разработки новых кристаллов, перспективных для квантовой электроники. Не менее актуальной задачей является дальнейшее исследование физических характеристик уже известных кристаллических материалов. Очевидно, что прогресс в этой области во многом зависит от полноты изученности спектроскопических свойств активированных кристаллов. Одним из прямых методов исследования этих свойств является электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), позволяющий провести химическую идентификацию парамагнитной примеси, определить спиновое состояние и валентность примеси, ее локальную симметрию и состав ближайшего окружения, структуру

о - ітригіїу -Бе^ІіеІИ) О - гп (зЬеІІ 2)
Бе (8ЬеІІ 3)
Рис. 1.4. Структура кристаллической ячейки ZnSe, в которой один из узлов цинка замещен примесным ионом переходного элемента