Влияние модифицирования на поляризационные свойства слоев на основе триселенида мышьяка

• Автор: Грабко, Геннадий Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 125 с. : ил.

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ
СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (обзор литературы)
1.1. Введение
1.2. Локальная структура халькогенидных стекол в системе Аб-
X (X - халькоген)
1.3. Энергетический спектр локализованных состояний в ХСП
1.4. Примеси в халькогенидных стеклообразных
полупроводниках
1.5. Выводы из обзора литературы и постановка задач
исследования
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика исследования релаксационных характеристик
тонких слоев халькогенидных стекол
2.2. Методика исследования диэлектрических явлений тонких
слоев халькогенидных стекол
2.3. Описание образцов
Глава 3. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЯХ ТРИСЕЛЕНИДА МЫШЬЯКА
3.1. Изотермическая поляризация тонкопленочной МДМ-
структуры АГАэзБез-А!
3.2. Релаксационные явления в слоях триселенида мышьяка,
полученных разными методами
3.3. Релаксационные явления в аморфных слоях АБ28ез,
легированных висмутом

3.4. Распределение релаксаторов в модифицированных слоях
АэгБез
3.5. Частотно-полевая зависимость диэлектрических
параметров слоев Аз28е3(Ві)х
3.6. Краткие выводы по третьей главе
Глава 4. НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК
МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЕВ ТРИСЕЛЕНИДА МЫШЬЯКА
4.1. Дисперсия комплексной диэлектрической проницаемости
аморфных слоев триселенида мышьяка с легирующей добавкой висмута
4.2. Температурно-частотная зависимость диэлектрических
параметров Аз28е3(В1)х
4.3. Широкополосный диэлектрический отклик слоев Аз28е3, ;
полученных разными методами
4.4. Влияние примеси висмута на оптические явления в
пленках АзгЬез
4.5. Краткие выводы по четвертой главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВВЕДЕНИЕ.
Актуальность работы. Халькогенидные сплавы сложного состава привлекают внимание исследователей в связи с их использованием в многочисленных приспособлениях микроэлектроники и оптоэлектроники. Уникальные свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), с одной стороны, и простота в изготовлении по сравнению с кристаллическими полупроводниками, с другой, обусловливают перспективность их применения в качестве исходных материалов для формирования оптоволоконных световодов и волоконо-оптических лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне (5ч-15 мкм) [1, 2]. Данные соединения являются элементной базы при производстве голографической, ксерографической аппаратуры и мишеней в телевизионных передающих трубках типа «видикон» [3, 4].
В последнее десятилетие пристальное внимание уделяется работам по созданию устройств энергонезависимой фазовой памяти (Phase Change Memory или PCM), работающих на принципе обратимого фазового перехода «аморфное - кристаллическое состояние» в ХСП. Локальные структурные трансформации в наноразмерном слое материала осуществляются за счет электрического импульса или импульса света. Одним из успешных примеров практического использования данного эффекта являются оптические диски формата DVD-RW. По оценкам экспертов, в настоящее время имеется реальная вероятность создания конкурентоспособных устройств, способных потеснить на рынке традиционную флэш-память [5-14].
Не меньший интерес связан с изучением влияния примесей на процессы электропереноса и зарядообразования в халькогенидных стеклах. Экспериментальные результаты по успешному преобразованию д>-типа

Рис. 2.3. Установка "Concept 41".