+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Управление рельефом поверхности самоупорядоченных глобулярных микроструктур для изделий электронной техники

  • Автор:

    Моисеев, Константин Михайлович

  • Шифр специальности:

    05.27.06

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2012

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    141 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы


Содержание

ВВЕДЕНИЕ
ЕЛАВА 1. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ САМОУПОРЯДОЧЕННЫХ СТРУКТУР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ
1.1. Самоупорядоченные глобулярные структуры
1.2. Требования к автоэмиссионным катодам
1.3. Автоэмиссионные наноструктуры
1.4. Приборы на основе автоэмиссионных структур
1.5. Тенденции развития автоэмиссионных катодов
ВЫВОДЫ К ПЕРВОЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ АВТОЭМИССИОННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ОПАЛОВОЙ МАТРИЦЫ
2.1. Общие требования к автоэмиссионным материалам и их поверхности
2.2. Модификация рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы методами вакуумного осаждения тонкопленочных покрытий и ионного травления
2.2.1. Модификация рельефа поверхности синтетической опаловой матрицы осаждением тонкопленочных покрытий
2.2.2. Модификация рельефа поверхности опаловой матрицы ионным травлением

2.2.3. Формирование автоэмиссионного рельефа комбинацией методов осаждения и травления
2.3. Моделирование процесса модификации рельефа поверхности опаловой матрицы
ВЫВОДЫ ПО ВТОРОЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАДАННОГО РЕЛЬЕФА ПОВЕРХНОСТИ
3.1. Вакуумный универсальный пост
3.2. Магнетронная распылительная система на постоянном токе
3.3. Автономный источник ионов
3.4. Дуговой испаритель торцевого типа
3.5. Технологические варианты реализации процесса модификации рельефа поверхности синтетических опаловых матриц
ВЫВОДЫ К ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ
ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ АВТОЭМИССИОННОГО РЕЛЬЕФА НА ПОВЕРХНОСТИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ОПАЛОВОЙ МАТРИЦЫ ВАКУУМНЫМИ МЕТОДАМИ
4.1. Строение, свойства и формирование опаловых матриц
4.2. Модифицирование термическим испарением
4.3. Модифицирование магнетронным распылением

4.4. Модифицирование рельефа поверхности опаловых матриц методами ионно-лучевого травления
4.4.1. Травление исходной опаловой матрицы
4.4.2. Травление модифицированной методами вакуумного осаждения опаловой матрицы
4.5. Альтернативные способы использования модифицированных опаловых матриц в изделиях автоэмиссионной электроники
4.5.1. Автоэмиссионные катоды на углеродных нанотрубках
4.5.2. Автоэмиссионные катоды на инверсном опале
ВЫВОДЫ ПО 4-Й ГЛАВЕ
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Измерения эмиссионных характеристик планарных катодов на основе опаловых матриц, углеродных пленок или слоистых структур АУП/диэлектрик проводились в импульсном режиме на специально разработанной вакуумной установке при давлении 1,33-10“3 Па (рис. 1.16). Зазор между катодом и анодом в процессе исследования эмиссионных свойств составлял А = 160-500 мкм.
Изолятор их керамики 22ХС
Рис. 1.16. а) конструкция измерительной ячейки; б) схема устройства для оценки числа эмиссионных центров ненакаливаемых катодов на основе слоистой структуры Si/ajiMas/AIN
Были исследованы эмиссионные характеристики планарных ненакаливаемых катодов, включающих слой упорядоченных упаковок наносфер SiÛ2 диаметром 200±10 нм. В качестве эмитирующих материалов использовались нанесенные на опаловые матрицы АУЛ, A1N, а также слоистые структуры металл/АУП; АУП/AIN; АУП/ZnO и др. (рис. 1.17 и рис. 1.18).
На рис. 1.19 представлена вольтамперная характеристика структуры опаловая матрица/АУП, в которой слой алмазоподобного углерода получен методом тлеющего разряда. Измерение ВАХ проводили при следующих условиях! зазор между анодом и катодом 500 мкм, частота 50 Гц, длительность импульса 30 мкс.
Для анализа современных типов автоэмиссионных катодов их характеристики сведены в таблицу 1.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.087, запросов: 966