Физические основы и принципы бесконтактного измерения параметров полупроводниковых материалов

• Автор: Сидорин, Виктор Викторович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1997
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 621 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I Метрологическое обеспечение качества полупроводниковых материалов
1.1 Полупроводниковые материалы как объект контроля
и исследования
1.1. I Номенклатура полупроводниковых материалов для интегральных схем и полупроводниковых приборов
1.1. 2 Система параметров и показателей качества полупроводниковых материалов
I. 2 Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
1.2.1 Методы и средства измерения электрофизических параметров
I. 2. 2 Методы и средства измерения геометрических параметров
I. 2. 3 Неразрушающие методы измерения
I. 3 Методы поиска новых технических решений и задачи создания бесконтактных методов измерения параметров полупроводниковых материалов
1.4 Алгоритм разработки и морфологические схемы бесконтактных методов измерения параметров полупроводниковых
материалов
Выводы
ГЛАВА П Радиоволновые методы и средства измерения удельного сопротивления слитков полупроводниковых материалов на основе полосковых линий передачи
2.1 Параметры полупроводникового материала как объекта исследования радиоволновыми методами
2. 2 Несимметричная полосковая линия с торцевым зазором ь полоске, шунтированным полупроводниковым материалом
2. 3 Амплитудные методы измерения удельного сопротивления полупроводников по параметрам бегущей волны
2. 4 Амплитудные методы измерения удельного сопротивления по параметрам стоячей волны
2. 5 Методы измерения удельного сопротивления по па-
раметрам резонанса электромагнитных колеоании в полосковых
линиях передачи
Выводы
ГЛАВА Ш Радиоволновые методы и средства измерения электрофизических и геометрических параметров пластин и эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов на
основе полосковых линий передачи
3. I Метод измерения удельного сопротивления и толщины пластин полупроводниковых материалов
3. 2 Метод измерения удельного сопротивления и толщины эпитаксиальных слоев в однослойных эпитаксиальных структурах
3. 3 Метод измерения распределения значения удельного сопротивления по толщине слоистонеоднородных полупроводниковых материалов
Выводы
ГЛАВА 17 Измерение подвижности и концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалах радиоволновыми методами и средствами на основе полосковых линий передачи
4. I Метод измерения подвижности и концентрации носителей заряда в слитках и пластинах однородных полупро-дниковых материалов с помощью щелевых датчиков на основе

полосковых линий передачи
4. 2 Метод измерения электрофизических параметров полосковыми резонаторными датчиками
4.3 Измерение подвижности и концентрации свободных носителей заряда по магниторезистивному эффекту
4.4 Особенности измерения подвижности и концентрации носителей заряда в пластинах и эпитаксиальных структурах
Выводы
ГЛАВА У Радиоволновые методы и средства измерения параметров полупроводниковых материалов на основе волноводных линий передачи
5.1- Метод избирательного согласования для измерения удельного сопротивления
5.2 Измерение удельного сопротивления волноводными щелевыми измерительными преобразователями
5. 3 Измерение удельного сопротивления и толщины пластин и слоистонеоднородных материалов
5. 3. I Метод измерения удельного сопротивления и толщины пластин полупроводниковых материалов
5.3.2 Метод измерения удельного сопротивления и толщины слоев в слоистонеоднородных материалах
5. 3. 3 Метод измерения распределения удельного сопротивления по толщине полупроводниковых материалов
5.4 Поляризационные методы измерения подвижности и концентрации свободных носителей заряда»
5. 5 Измерение подвижности и концентрации носителей заряда волноводными преобразователями
5.5.1 Радиоволновый’измерительный преобразователь на основе волноводных разветвителей

продолжение табл
3.Показатели структурного
СОБершеНСТВЗ.:
плотность ОДУ,

плотность дислокаций, см

<1 1С? С после термоиспытаний?
<10Спосле термоиспытаний?
плотность свицэл-дефектов, см
не контролируется
не должно быть
не ДОЛЖНО
быть
плотность микродефектов ,
см - 1-10 С после не должно
термоиспыта- быть
ний?
коэффициент заполнения ЛИНИЯМИ скольжения 0,2 0,02 не должно
быть
4. Электрофизические параметры:
удельное сопротивление , Омсм'
радиальный разброс удельного сопротивления,%
не контролируется
время жизни н. н. 3.
не контролируется
5.Концентрация нелегирующих примесей:

кислород, см
радиальный разброс концентрации кислорода,%
углерод,

12 Ср-типХ

не контролируется
< ю18 <С 5-ТО -ю17
не контроли-луется
< ю17
1,0' %
< 5*10