Закономерности релаксации упругих напряжений и диффузия в псевдоморфных SiGe/Si структурах
- Автор:
Аврутин, Виталий Семенович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
93 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Субмиллиметровая фотопроводимость в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах | Ерофеева, Ирина Викторовна | 2006 |
| Исследование и разработка конструктивно-технологических решений создания транзисторного модуля для изготовления КМОП схем с проектными нормами 0.35 мкн на кластерном технологическом оборудовании | Цимбалов, Андрей Сергеевич | 2006 |
| Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP | Юзеева, Наталия Александровна | 2013 |