Прецизионная литография в твердотельной электронике и микроэлектронике

• Автор: Марголин, Владимир Петрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 371 с. : ил.

Введение
Глава I.
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
1.7.
1.8. 1 .9.

0. Г ДАВЛЕНИЕ

Моделирование процессов взаимодействия электронного, рентгеновского и лазерного пучков с системой резист-
подложка
Введение
Аналитическая модель для оценочных расчетов влияния первичных и обратно-отраженных электронов на процесс
литографии
Исследование процессов энерговыделения в слое элект-
ронорезиста
Выбор оптимальных параметров экспонирования без учета вторичных эффектов и разработка номограммного метода
расчета
Исследование процесса энерговыделения в слое резиста с учетом обратно-отраженных от подложки электронов в
зоне электронного пучка
Исследование процесса энерговыделения в зоне "геометрической тени" при облучении электронным пучком
Разработка машинной модели на основе метода Монте
Карло
Анализ возможностей метода электронно-ионной литографии
Анализ процесса термического взаимодействия лазерного
излучения с тонкими пленками
Анализ процесса взаимодействия рентгеновского излучения с системой резист-подложка
Вывод ы

Глава II. Разработка комплекса аппаратуры и экспериментальных методик для исследования взаимодействия электронного, лазерного и рентгеновского пучков с системой резист-
подложка
Введение
2.1. Разработка электронно-лучевого генератора изображения с фототелевизионным вводом информации
2.2. Разработка способа генерации серий линий однократной экспозиции на поверхности резиста
2.3. Разработка макета для исследования спектров обратного отражения электронов от подложки
2.4. Разработка экспериментальных методик для исследования процесса взаимодействия электронного пучка с системой резист-подложка
2.5. Разработка экспериментального макета для исследования возможностей метода ионно-электронной литографии
2.6. Выбор параметров источника рентгеновского излучения, расчет и конструирование электронной пушки и макета для исследования процесса рентгеновской литографии
2.7. Разработка и изготовление электроне и рентгеношабло-нов
2.8. Разработка лабораторного макета для исследования процесса генерации микрорисунка на внутренней поверхности криволинейных образцов методом лазерной
безрезистной литографии
Вывода
Глава III. Исследование литографических характеристик электро-го и рентгегорезистов, разработка методов повышения

производительности и разрешающей способности процесса электронолитографии и исследование процесса
лазерной безрезистной литографии
Введение
3.1. Анализ процессов полимеризации и деструкции в злек-тронорезисте
3.2. Исследование ионной и плазменной стойкости электро-но и рентгенорезистов
3.3. Экспериментальная проверка достоверности моделирования процесса анерговыделения в "зоне геометрической тени"
3.4. Разработка способов повышения производительности и разрешающей способности процесса электронолитографии
3.5. Исследование спектральных зависимостей коэффициентов поглощения рентгенорезистов
3.6. Исследование процесса лазерной безрезистной литографии на внутренней поверхности криволинейных образцов
Выводы
Глава IV. Исследование и разработка методов микролитографии
на неплоских подложках
Введение
4.1. Анализ методов получения подложек, вписывающихся в радиальную симметрию процессов микротехнологии
4.2. Исследование совместимости подложек, подвергнутых контролируемой обратимой деформации с другими процессами планарной технологии
4.3. Исследование возможностей модификации метода рен-

шенй.
Решение Спенсера [34] и модель распределения энергетических потерь Арчарда [24,35] для органических материалов, каковыми является подавляющее большинство алектроноревистов, не вполне применимы (последняя модель вообще наиболее пригодна для расчетов теплового эффекта).
Для расчета тормозной способности вещества сложного состава параметры тормозящей среды согласно [36,37] определяются по формулам:
Е п.А.2
*эФФ=
Е піаі2і
_2 Г п. А,
2Г ~ г і
. ЭФФ 1 /т ОГчч
АэФФ= 3 (І''20)

АэФФ
N =Ы 2 „ 2 ЭФФ
(1 .21 ) (1 .22)
где п-число атомов 1-го сорта, Ж-концентрация атомов мишени, Жа концентрация электронов атомов мишени. Рассчитанные значения этих параметров приведены в таблице 1.2.1.
Следует отметить, что несовершенство химических технологий производства резистных материалов (особенно это касается отечественного производства, когда параметры резиста даже в одной партии могут чрезвычайно существенно отличаться) не позволяет провести корелляцню с экспериментом. Даже по чувствительности данные для одного резиста, выпускаемого серийно одной организацией