Исследование и разработка активных высокочастотных фильтров на основе обобщенных преобразователей иммитанса

• Автор: Розов, Андрей Валентинович
• Шифр специальности: 05.12.17
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Рязань
• Количество страниц: 240 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
1. ХАРАКТЕРИСТИКА РАССМАТРИВАЕМОЙ ПРОБЛЕМЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1 Обзор состояния вопроса реализации микроэлектронных
фильтров
1.2 Задача разработки активных микроэлектронных фильтров ВЧ диапазона
1.3 Постановка задачи исследования
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОТРАНЗИСТОРНЫХ ВЧ ФИЛЬТРОВ
НА ОСНОВЕ ОБОБЩЕННЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ИММИТАНСА (ОПИ)
2.1 Исследование ОПИ на основе биполярного транзистора
2.1.1 Математическая модель идеального ОПИ
2.1.2 Анализ реальных ОПИ и корректировка математической
модели объекта исследования
2.1.3 Исследование ОПИ на транзисторе с общей базой
2.1.4 Исследование ОПИ на транзисторе с общим коллектором
2.1.5 Исследование ОПИ на транзисторе с общим эмиттером
2.2 Некоторые вопросы использования полевых транзисторов
в качестве ОПИ
2.3 Применение местных обратных связей в однотранзисторных ВЧ фильтрах на основе ОПИ
2.4 Вопросы реализации однотранзисторных активных фильтров
на основе ОПИ
2.5 Выводы по главе
3. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МНОГОТРАНЗИСТОРНЫХ ВЧ ФИЛЬТРОВ НА ОСНОВЕ ОПИ

3.1 Разработка и исследование взаимных ВЧ фильтров на основе кольцевых структур ОПИ
3.2 Разработка и исследование невзаимных ВЧ фильтров на основе кольцевых структур ОПИ
3.2.1 Разработка и исследование высокодобротных АФ ВЧ
диапазона
3.2.2 Разработка и исследование широкополосных ВЧ АФ на основе дифференциального каскада с высокой избирательностью
3.3 Статистические исследования АФ на основе кольцевых
структур ОПИ
3.4 Вопросы каскадирования АФ на основе кольцевых
структур ОПИ
3.5 Выводы по главе
4. МЕТОДИКА РАСЧЕТА АФ НА ОСНОВЕ КОЛЬЦЕВЫХ СТРУКТУР ОПИ И РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
4.1 Методика расчета АФ на основе кольцевых структур ОПИ
4.2 Разработка АФ на основе интегральных микросхем широкого применения
4.3 Результаты экспериментальных исследований
4.3.1 Результаты статистических исследований АФ на основе дифференциального каскада
4.3.2 Результаты статистических исследований высокодобротных АФ
4.3.3 Температурные исследования ВЧ АФ на основе кольцевых структур ОПИ
4.3.4 Основные параметры разработанных АФ
4.4 Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение 1. Список сокращений
Приложение 2. Таблицы преобразований
Приложение 3. Листинги программ, использованных при расчетах
Приложение 4. Акты внедрения результатов диссертационной работы

стремятся к нулю при t-*», когда все независимые генераторы установлены на нуль.
Количественно оценивать потенциальную неустойчивость ОПИ целесообразно с помощью внутреннего инвариантного коэффициента устойчивости
Ку.„ =2MY3 YnbMYjj Yji)
|Y12Y2,1 (2.10)
справедливого для условий, полученных A.A. Куликовским при выводе иммитансного критерия устойчивости [35]:
1. Re Y,i>0, Re Y22>0
2. ОПИ устойчив при подключении к его зажимам бесконечных иммтансов Yr ->ю, Y„®.
Если Ку-В. >1, то ОПИ устойчив при любых Y„ и Yr, Это указывает на невозможность реализации на зажимах ОПИ динамического отрицательного сопротивления. В этом случае функциональные возможности ОПИ как элемента построения АФ резко ограничены.
В связи с этим основной интерес представляют потенциально неустойчивые ОПИ, с помощью которых возможна реализация любой передаточной функции, но при этом возникает вопрос об обеспечении требуемого запаса по устойчивости.
Основной характеристикой потенциально неустойчивых ОПИ является максимально достижимое значение отрицательного вещественного иммитанса ReY(.)Max, величина которого показывает, какое максимальное значение диссипативных потерь способен скомпенсировать ОПИ. В общем случае ReY(_)Max является частотнозависимым. Частоту, соответствующую максимальному значению ReY(.)MaXi при постоянном значении преобразуемого иммитанса, принято называть оптимальной частотой