Кипение азота на поверхности тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников при джоулевом разогреве

• Автор: Ивакин, Владимир Борисович
• Шифр специальности: 01.04.14
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 128 с. : ил.

Содержание
Введение ..;
1 Кипение жидкости на поверхности нелинейного нагревателя
1.1 Режимы кипения и зарождения паровых пузырей
на поверхности нагрева
1.2 Температурные осцилляции под растущими пузырями
1.3 Тепловое разрушение сверхпроводимости при джо-
улевом саморазогреве сверхпроводников. Тепловая бистабильность сверхпроводников с током
1.4 Влияние смены режимов теплообмена в жидком
охладителе на тепловую устойчивость сверхпроводников. Тепловая мультистабильность
1.5 Постановка задачи исследования
2 Получение тонких сверхпроводящих пленок УхВаСщОт-х
2.1 Способы получения тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников
2.2 Методика получения тонких пленок системы У
Ва — Си — О магнетронным распылением на постоянном токе
2.3 Свойства полученных пленок

3 Вольтамперные характеристики УхВаСщО-; пленок в
условиях тепловой мультистабильности
3.1 Схема экспериментальной установки и методика проведения опытов
3.2 Вольтамперные характеристики пленок в условиях линейного теплоотвода
3.3 Вольтамперные характеристики пленок в кипящем азоте
4 Динамические режимы кипения азота на поверхности ВТСП-
пленок
4.1 Влияние вскипания на динамику переключения
из сверхпроводящего в нормальное состояние
4.2 Тепловые осцилляции при пузырьковом кипении. Регулярные и стохастические режимы генерации пара
4.3 Определение корреляционной размерности по экспериментальным данным о динамике тепловых осцилляций
4.4 Тепловые осцилляции при кризисном переходе жидкость-пар
4.4.1 Критический неравновесный фазовый переход
4.4.2 Осциллограммы и спектры колебаний. 1

4.4.3 1// - шум (краткий обзор)
4.4.4 1// - шум при неравновесном фазовом переходе

4.4.5 Оценка относительной упорядоченности системы по экспериментальным данным на
основе критерия ” 8-теорема”
Заключение
Библиография

только при достаточно малой концентрации 6 кислородных вакансий. При 8 < 1 кристаллическая структура тетрагональная, причем в ней реализуется диэлектрическая структура, но при 8 < 0, б структура уже орторомбическая и в ней реализуется сверхпроводящая фаза [24].
2.2 Методика получения тонких пленок системы У— Ва — Си — О магнетронным распылением на постоянном токе
В тех случаях, когда необходимо получение тонких пленок многокомпонентных материалов, материалов с высокой температурой плавления, когда необходимо добиться хорошей адгезии с подложкой или организовать низкотемпературную эпитаксию, определенное преимущество имеет ионное распыление материалов. К основным типам ионных распылительных систем относятся: диодная на постоянном токе, высокочастотная диодная, триодная, магнетрон- ная на постоянном токе, высокочастотная магнетронная [28, 29, 30] . Распылительные системы на постоянном токе диодного, триодного и магнетронного типов применяются главным образом для распыления металлов, сплавов, других электропроводных материалов, а высокочастотные системы, в том числе, для распыления диэлектрических мишеней.
В ионных распылительных системах в межэлектродном пространстве формируется низкотемпературная плазма. Образованные положительные ионы (как правило, аргон) бомбардируют отрицательно заряженную мишень и выбивают ее атомы, которые осаждаются на подложке. В маг-нетронных системах плазма образуется в скрещенных электрическом и магнитном полях. Магнитное поле воздействует на тлеющий разряд, изменяя главным образом характер движения электронов. При включении магнитного поля электроны, скорость движения которых непараллельна ему, начинают двигаться по спиральным траекториям вокруг силовых