Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Власов, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик | Ионов, Александр Николаевич | 1983 |
| Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе | Абрамов, Алексей Станиславович | 2001 |
| Исследование распределения зарядов и электрических полей в приборных наноструктурах методами сканирующей зондовой микроскопии | Алексеев, Прохор Анатольевич | 2013 |