Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Власов, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs», автор — Власов, Юрий Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Воронеж в 2012 году. Объем работы: 151 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005424376. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей | Осминкина, Любовь Андреевна | 2004 |
| Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах | Березовец, Вячеслав Анатольевич | 1984 |
| Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем | Шляпин, Александр Владимирович | 2002 |