Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Власов, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда | Костенко, Михаил Иванович | 1997 |
| Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров | Грачева, Ирина Евгеньевна | 2009 |
| Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии | Можаев, Алексей Владиславович | 2010 |