Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Власов, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках | Булатов, Марат Фатыхович | 2005 |
| Теория кинетических и размерных эффектов, обусловленных вырождением зон в полупроводниках | Хаецкий, Александр Васильевич | 1984 |
| Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками | Балагула, Роман Михайлович | 2017 |