Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Власов, Юрий Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
151 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле | Яблонский, Александр Леонидович | 1999 |
| Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах | Бугров, Владислав Евгеньевич | 2013 |
| Оптические свойства и структура аморфного углерода | Ястребов, Сергей Гурьевич | 2003 |