Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Автор:
Синис, Валерий Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si», автор — Синис, Валерий Павлович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2002 году. Объем работы: 132 с. : ил. Внутренний код товара: 01002302114. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов | Латышев, Юрий Ильич | 2000 |
| Исследование процессов переноса заряда в p-n переходах, изготовленных на основе CdHgTe (X≈0.22) и их изменений при механическом и температурном воздействиях | Ромашко, Лариса Николаевна | 2001 |
| Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия | Свиридовский, Лев Савельевич | 1984 |