Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Автор:
Синис, Валерий Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование состава и структурного совершенства полупроводниковых гетероэпитаксиальных систем методом электроотражения | Ариас, Авила Нельсон | 1985 |
| Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп | Румянцева, Анна Игоревна | 1999 |
| Многокомпонентные оксидные наноматериалы с фрактальной структурой для чувствительных элементов адсорбционных сенсоров | Карманов, Андрей Андреевич | 2016 |