Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si
- Автор:
Синис, Валерий Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда | Кацоев, Валерий Витальевич | 2008 |
| Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP | Тулашвили, Эремия Вахтангович | 1984 |
| Полупроводниковые InGaAsP/InP ( λ =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями | Кучинский, Владимир Ильич | 1998 |