Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Автор:
Захарова, Анна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах», автор — Захарова, Анна Александровна, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 1998 году. Объем работы: 281 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000206835. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Инфракрасная фурье-спектроскопия микро- и наноструктур на основе InAs и InSb | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | 2014 |
| Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ | Кеслер, Валерий Геннадьевич | 2005 |
| Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела | Федотов, Александр Борисович | 1984 |