Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Автор:
Захарова, Анна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs | Стоянов Николай Деев | 2005 |
| Исследование микродефектов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием | Жевнеров, Евгений Владимирович | 2011 |
| Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности | Олешко, Владимир Иванович | 1999 |