Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Автор:
Захарова, Анна Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1998
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
281 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном | Чистохин, Игорь Борисович | 1998 |
| Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои | Дорохин, Михаил Владимирович | 2007 |
| Оптические и фотоэлектрические свойства композитных структур на основе пористой матрицы SnO2 и гетероэпитаксиальных нанокристаллов CdSe/CdS | Дроздов, Константин Андреевич | 2015 |