Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs

• Автор: Мухин, Михаил Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2012
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 120 с. : ил.

Содержание
Содержание
Список сокращений
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Перспективы применения гетероструктур на основе ТпАб в спинтронике
1.2 Фотолюминесцентные свойства ультратонких вставок БтБЬ в матрице 1пАя
1.3 Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект
1.4 Гигантский эффект Зеемана в II-VI разбавленных магнитных

полупроводниках
1.5 Модель Пиджена-Брауна
1.6 Правила отбора оптических переходов 36 Глава 2. Эффект Зеемана в гетероструктурах типа II
1и8Ь/1пА8
2.1 Описание исследованных образцов
2.2 Экспериментальная методика
2.3 Основные экспериментальные результаты
2.4 Расчет энергетического спектра носителей заряда в гетероструктуре 1п8Ь/1пАя
2.5 Определение -фактора тяжелых дырок в квантовой яме ЪгБМпАя
2.6 Определение относительной силы осциллятора оптических переходов в квантовой яме БаБЬ/ЬтАя
Глава 3. Обменное взаимодействие электронов с ионами Ми в гетеровалентных структурах А18Ь/1пА8/Хп(Мп)Те
3.1 Описание исследованных образцов
3.2 Экспериментальная методика

3.3 Основные экспериментальные результаты
3.4 Расчет энергетического спектра носителей заряда в гетеровалентной квантовой яме АІБЬ/ІпА.ч/Ап(Мп)Те
3.5 Аппроксимация зависимости фототока от температуры
Глава 4. Особенности магнитофотолюминесценции диодных
структур на основе ІпАв
4.1 Описание исследованных образцов
4.2 Экспериментальная методика
4.3 Основные экспериментальные результаты
4.3.1 Магнитофотолюминесценция эпитаксиального слоя объемного ІпАв
4.3.2 Магнитофотолюминесценция диодной структуры на основе ІпАв
4.4 Расчет уровней Ландау объемного ІпАв в рамках модели Пиджена-Брауна
4.5 Влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции 97 Заключение
Литература
Основные работы, включенные в диссертацию

Список сокращений
Обозначение Расшифровка
МС Монослой
мпэ Молекулярно-пучковая эпитаксия
ик Инфракрасный
кя Квантовая яма
эВ Электрон-вольт
мэВ миллиэлектрон-вольт
ФЛ Фотолюминесценция
ПЗС Прибор с зарядовой связью
ДБЭ Дифракция быстрых электронов
D-A Донорно-акцепторый
D-h Донор-дырка
FWHM Ширина на полувысоте (full width at half maximum)
hh Тяжелая дырка (heavy hole)
lh Легкая дырка (light hole)

многокомпонентная волновая функция компоненты которой
представляют собой собственные функции гармонического осциллятора
Ф„(Я =<:

Нкхх+к2г)
с л п)

5 п +1
У7 н +
У2 н +
т* п +
Т, п)
8 п)
(1.32)
где 1х, Ту и определяют размер кристалла, ъ~У~~ и - численные коэффициенты. Тогда волновая функция уровня Ландау с индексом п равна
Ь)=2Хм1г') (из)
где Л'п ; - компоненты волновой функции Тп, включающие коэффициенты V,, |г) - базисный набор зонных функций Блоха (1.27). Собственные функции гармонического осциллятора удовлетворяют следующим уравнениям:
ап) - 4п'п -)
а* | п) = л/тТ+Т | п +1) (1-34)
Щп)=пп)
для и’ > 0. Таким образом, для нахождения решений уравнения (1.25) необходимо найти собственные значения двух матриц размерность 4x4 Е° и
Еьп и собственные вектора уа = (V), у3, у5, у7) и уь = (у2, У4, Уб, у«)- Для нахождения собственных значений следует решить характеристические уравнения: