Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- Автор:
Карачевцева, Мария Виссарионовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Фрязино
- Количество страниц:
139 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников | Гусейханов, Магомедбаг Кагирович | 1999 |
| Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков | Ремизов, Николай Вениаминович | 1984 |
| Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости | Мурашова, Алена Владимировна | 2002 |