Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- Автор:
Карачевцева, Мария Виссарионовна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Фрязино
- Количество страниц:
139 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда | Сошников, Александр Игоревич | 2011 |
| Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния | Моливер, Сергей Соломонович | 2000 |
| Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях | Антонова, Ирина Вениаминовна | 2009 |