Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда

• Автор: Уточкин, Иван Геннадьевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Рязань
• Количество страниц: 172 с. : ил.

Глава 1. Структурные особенности и физические свойства неупорядоченных полупроводников

1.1. Атомарная структура неупорядоченных полупроводников

1.2. Энергетическая структура носителей заряда в пленках неупорядоченных полупроводников.

1.3. Поверхностные и объемные состояния в неупорядоченных полупроводниках

1.4. Влияние микроструктуры поверхности на оптические и электрофизические свойства неупорядоченных полупроводников
1.5. Влияние технологических режимов на микроструктуру поверхности пленок неупорядоченных полупроводников

1.6. Механизмы токопереноса и оптические свойства неупорядоченных полупроводников

1.7. Методы исследования поверхностных и объемных состояний, и структуры поверхности неупорядоченных полупроводников.

Выводы по главе

Глава 2. Разработка методики исследования электрофизических характеристик поверхности пленок неупорядоченных полупроводников с помощью атомно-силовой микроскопии

2.1.Основные элементы и общий принцип работы атомно-силовой микроскопии

2.2. Метод поверхностных потенциалов или метод зонда Кельвина в технике АСМ применительно к неупорядоченным полупроводникам
2.3. Разработка физических основ методики измерения поверхностных потенциалов, распределения электрического поля и плотности поверхностных состояний в неупорядоченных полупроводниках с помощью АСМ
2.3.1. Метод расчета плотности поверхностного заряда и концентрации ионизированных поверхностных и объемных состояний в неупорядоченных полупроводниках

2.3.2. Метод расчета толщины области пространственного заряда и плотности локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках
2.3.3. Методика расчета падения напряжения на квазинейтральной области неупорядоченного полупроводника с учетом толщины области пространственного заряда
2.3.4. Оценка погрешности косвенных измерений Выводы по главе
Глава 3. Экспериментальные методы исследования структурных и электрофизических свойств пленок а-вкН и а-БЮН
3.1. Определение параметров шероховатости поверхности пленок неупорядоченных полупроводников
3.2. Тестирование АСМ на образцах с известной геометрией
3.3. Определение толщины пленок а-БШ и а-8Ю:Н методом АСМ
3.4. Методика исследования спектров оптического пропускания пленок неупорядоченных полупроводников
3.5. Подготовка экспериментальных образцов
3.5.1. Технология осаждения пленок неупорядоченных полупроводников в плазме низкочастотного (55 кГц) тлеющего разряда
3:5.1. Разработка топологии и конструкции экспериментальных образцов
3.5.2. Обоснование выбора технологических режимов получения пленок на основе а-внН
Выводы по главе
Глава 4. Исследование структурных, оптических и электрофизических свойств нелегированных пленок на основе а-впН.
4.1. Исследование структуры поверхности, оптического поглощения и распределения электрического поля и потенциала в нелегированных пленках а-8Г:Н
4.1.1. Исследования взаимосвязи электрофизических и структурных особенностей нелегированных пленок а-81:Н в зависимости от температуры осаждения на подложку. Закономерность сохранения микроструктуры поверхности пленок а-впП

138 157 159

4.

4.1.2. Исследования взаимосвязи электрофизических и структурных особенностей нелегированных пленок а-БкН в зависимости от времени осаждения на подложку
4.2. Исследования взаимосвязи структуры поверхности, оптического поглощения и распределения электрических полей и потенциалов в нелегированных пленках а-81С:Н в зависимости от содержания метана в газовой фазе Выводы по главе 4 Основные результаты и выводы Литература
Рис. 2.4. Регистрирующая система: 1 - лазер, 2 - позиционно-чувствительный фотоприемник, 3 - кантилевер, 4, 5 - линзы, б — зеркало [65].
Рис. 2.5. Конструкция трубчатого пьезосканера: 1 - пьезотрубка, 2 - зонд, 3 - держатель зонда, 4 - фланец для крепления сканера [65].