Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
- Автор:
Самойлов, Виктор Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик | Алешин, Андрей Николаевич | 2009 |
| Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях | Агаларов, Агалар Шахэмирович | 2008 |
| Структура и термостабильность пленок металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов | Пресняков, Михаил Юрьевич | 2014 |