Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
- Автор:
Самойлов, Виктор Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
114 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии | Алексеев, Павел Сергеевич | 2009 |
| Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии : Моделирование | Брунёв, Дмитрий Владиславович | 2006 |
| Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии | Ловыгин, Михаил Вячеславович | 2015 |