Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
- Автор:
Лакалин, Александр Вячеславович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Ульяновск
- Количество страниц:
195 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технология и оптические свойства фотонно-кристаллических структур на основе макропористого кремния | Ли, Галина Викторовна | 2013 |
| Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров | Чалдышев, Владимир Викторович | 1999 |
| Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике | Седова, Ирина Владимировна | 2006 |