Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов

• Автор: Лакалин, Александр Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 195 с. : ил.

Оглавление
Список сокращений
Введение
1. Безызлучательная рекомбинация через глубокие центры
1.1. Рекомбинация через примеси и дефекты. Рекомбинационная статистика
1.2. Токи, обусловленные рекомбинацией в области пространственного заряда
1.3. Некоторые методы определения параметров глубоких уровней
1.4. Кинетические коэффициенты
Выводы по главе
2. Токи рекомбинации в области пространственного заряда
2.1. Рекомбинация в области пространственного заряда. Резкие р-п-переходы
2.2. Особенности рекомбинации в плавных р-п-переходах
2.3. Рекомбинация через центры, распределенные по координате
2.4. Рекомбинация через центры, распределенные по энергии
2.5. Рекомбинация через многозарядные центры
Выводы по главе

3. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов с помощью анализа приведенной скорости рекомби-
нации для глубокой примеси золота в кремнии
3.1. Определение параметров глубоких уровней из вольтампер-
ной характеристики
3.2. Ошибки, возникающие при анализе вольтамперной характеристики с помощью приведенной скорости рекомбинации
3.3. Моделирование тока рекомбинации через глубокие уровни золота в кремнии
3.4. Экспериментальное исследование р-п-переходов из кремния, легированного золотом
3.4.1. Образцы для исследования
3.4.2. Определение концентрации мелкой примеси в р-п-переходах
3.4.3. Механизмы, формирующие прямые вольтамперные характеристики исследуемых диодов
3.4.4. Определение параметров глубоких уровней золота в кремнии с помощью приведенной скорости рекомбинации
3.4.5. Определение параметров глубоких уровней золота
в кремнии методом термостимулированной емкости. 131 Выводы'по главе
4, Исследование генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда СаР-светодиодов и эмиттерных переходов Бт-биполярных транзисторов
4.1. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов в области пространственного заряда СаР-светодиодов зеленого и красного свечения

4.1.1. Образцы для исследования
4.1.2. В'ольтфарадные характеристики исследуемых диодов
4.1.3. Анализ токов рекомбинации в области пространственного заряда GaP-светодиодов с помощью приведенной скорости рекомбинации
4.1.4. Определение параметров глубоких уровней в области пространственного заряда GaP-светодиодов методом термостимулированной емкости
4.1.5. Обсуждение результатов
4.2. Исследование генерационно-рекомбинационных процессов
в области пространственного заряда эмиттерных переходов кремниевых биполярных транзисторов
4.2.1. Образцы для исследования
4.2.2. Вольтфарадные характеристики эмиттерных переходов исследуемых транзисторов
4.2.3. Анализ токов рекомбинации в области пространственного заряда эмиттерного перехода исследуемых транзисторов с помощью приведенной скорости рекомбинации
4.2.4. Определение параметров глубоких уровней в области пространственного заряда эмиттерного перехода биполярных транзисторов КТ808АМ методом термостимулированной емкости
4.2.5. Обсуждение результатов
Выводы по главе
Основные выводы
Литература

ской связи [109], [110] (как показано в [111] некондоновское приближение полностью эквивалентно модели статической связи), модель потенциала нулевого радиуса [97]. Найденные на основе этих моделей выражения для предэкспоненциального множителя А различаются. Лучше всего с экспериментом согласуется значение А, вычисленное для модели потенциала нулевого радиуса, хотя и оно лишь качественно передает суть. Согласие с экспериментом достигается за счет подгоночных параметров.
В упомянутых выше работах (например, в [108], [96], [97]) вычисления сечения захвата электрона при многофононной рекомбинации через глубокий примесной центр проводились в однозонном приближении. Такое приближение нельзя считать хорошим для глубоких центров, энергия ионизации которых сравнима с шириной запрещенной зоны. В работе [101] процесс многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры рассмотрен в рамках многозонной модели короткодействующего потенциала аналогично [112], где использовалось двухзонное приближение в духе модели Кейна. Использование многозонного приближения дало возможность получить выражения для сечений захвата электронов и дырок на один и тот же центр. Конкретные результаты получены для центров симметрии А в прямозонных полупроводниках А3Б5 (симметрия донора в полупроводниках А3Б5). В [113] этот подход был развит для описания многофононной рекомбинации через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках типа Се, Бі, СаР. Как и в [101], тип симметрии центра и особенности зонной структуры оказывают существенное влияние на захват и термоионизацию электронов и дырок. В качестве примера в [113] рассмотрен акцепторный уровень симметрии Т% в кремнии (например, акцепторный уровень золота в кремнии).
Влияние заряда глубокого центра (роль отталкивающего и притягивающего кулоновских полей) на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов рассмотрено в [114]. В предположении, что