+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты

  • Автор:

    Сресели, Ольга Михайловна

  • Шифр специальности:

    01.04.10

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    2001

  • Место защиты:

    Санкт-Петербург

  • Количество страниц:

    245 с. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Глава 1. Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников с модифицированной поверхностью. Методы получения. (Литобзор)
Введение
§1.1. Поверхностные поляритоны на поверхности полупроводника с регулярным микрорельефом (дифракционной решеткой)
1.1.1. Краткие сведения о поверхностных поляритонах
1.1.2. Возбуждение поверхностных поляритонов в туннельных МОМ-структурах
1.1.3. Поверхностные поляритоны в фотоприемниках на барьерах Шоттки
§ 1.2. Использование регулярного микрорельефа в оптоэлектронике
1.2.1. Распределенная обратная связь и вывод излучения в полупроводниковых лазерах
1.2.2. Ввод и вывод излучения в квантовых ямах и сверхрешетках (межподзонные переходы)
§1.3. Оптические свойства полупроводников с сильно модифицированной поверхностью (на примере пористого кремния)
1.3.1 Фотолюминесценция пористого кремния
1.3.2. Поляризация фотолюминесценции пористого кремния
1.3.3. Быстрая полоса фотолюминесценции и оксидирование пористого кремния
1.3.4. Электролюминесценция пористого кремния
§ 1.4. Фототравление как метод создания модифицированной поверхности полупроводников
1.4.1. Методы получения регулярного микрорельефа
1.4.2. Аппаратура для изготовления регулярного микрорельефа
1.4.3. Используемые полупроводники и параметры регулярного рельефа
1.4.4. Методика изготовления слоев пористого кремния
1.4.5. Механизмы образования пористого кремния
Глава 2. Разработанные методики получения и исследования поверхности твердых тел с регулярно модифицированной поверхностью (дифракционной решеткой)
§ 2.1. Теория фотохимического травления полупроводников
§ 2.2. Разрешающая способность процесса, факторы, ограничивающие предельное разрешение
§ 2.3. О соответствии формы рельефа распределению освещенности
§ 2.4. Контроль за ходом процесса травления
§ 2.5. Разработка составов травителей и достигнутые результаты
§ 2.6. .Прецизионное травление металлов
Глава 3. Резонансы фототока и поверхностные поляритоны в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
§3.1. Фотоэлектрическое проявление возбуждения поверхностных поляритонов на внешней поверхности металла (быстрая мода) в структурах металл - полупроводник (диодах Шотт-ки)
3.1.1. Поляритонная природа резонансов фототока в диодах Шоттки
3.1.2. Механизм возникновения резонансного фотоответа в полупроводнике
3.1.3. Влияние толщины металла и глубины рельефа на резонансное усиление фотоответа в полупроводнике
3.1.4. Влияние возбуждения поверхностных поляритонов на электролюминесценцию структур
§ 3.2. Свойства диодов Шоттки при возбуждении поверхностных поляритонов на границе металл - полупроводник (медленная мода)
§3.3. Расчет распределения электромагнитных полей в слоистых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
3.3.1. Резонансное возбуждение поверхностных поляритонов в структурах полупроводник - оксид - металл
3.3.2. Двойное усиление электромагнитного поля поляритонов в диодах Шоттки
3.3.3.. Взаимодействие поверхностных поляритонов в излучающих туннельных МОМ-структурах
§ 3.4. Применения исследованных резонансных явлений
3.4.1. Спектрально-селективные фотоприемники
3.4.2. Поляризационно-чувствительные детекторы
Глава 4. Особенности поверхностных поляритонов в полупроводниковых структурах с дифракционными решетками на границах раздела
§4.1. Дисперсионная кривая поверхностных поляритонов в структуре воздух -металл - полупроводник
§ 4.2. Возбуждение поверхностных поляритонов при освещении ТЕ-поляризованным светом
§ 4.3 Взаимодействие света с глубокими резонансными дифракционными решетками
§4.4 Поверхностные дифрагированные волны
Глава 5. Новые методики получения пористых слоев полупроводников
§5.1. Получение частично оксидированных слоев пористого кремния при импульсном анодировании кремния
§ 5.2. Оксидирование нанокристаллитов кремния обработкой в тяжелой воде
§ 5.3. Управление размерами нанокристаллитов при помощи света разной длины волны
§ 5.4. Модифицированная модель образования пористого кремния
5.4.1. Реакция диспропорционирования на начальной стадии образования пор
5.4.2. Роль света при образовании пористого кремния на подложках р-типа.
Глава 6. Квантоворазмерная природа фото- и электролюминесценции пористого кремния.
§6.1. Электролюминесценция в системе кремний - пористый кремний - электролит
6.1.1. Методика измерений
6.1.2. Спектральные характеристики катодной электролю-минесценции
6.1.3. Кинетика электролюминесценции
6.1.4. Поляризационные зависимости в электролитах с раз-

Рис. 1.9. Время разрешенные спектры ФЛ пористого кремния при различных временах задержки момента регистрации относительно начала лазерного импульса Д1 (не): 1-10;
2 - 25; 3 - 50; 4 - 75; 5 - 1000. Хех = 337 нм, Т = 300°С.
На вставке: спектр ФЛ при стационарном возбуждении (к - 488 нм).

Photon Energy (eV)
Рис. 1.10. Спектры ФЛ (логарифмический масштаб) трех образцов пористого кремния с различным определяющим размером кристаллитов: большим (big) - ~ 100 Ä, маленьким (smallest) - ~ 20 Ä и промежуточным между ними (medium) [87].

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.267, запросов: 967